ch04场效应三极管及其放大电路.pptxVIP

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2022-02-26 发布于四川
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ch04场效应三极管及其放大电路.pptx

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N沟道;4 场效应三极管及其放大电路;4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数;4.1.1 N沟道增强型MOSFET;1．结构及电路符号;2．工作原理;当VGS VTN 时;2．工作原理;在夹断处：VGD=VGS-VDS =VTN;夹断后，VDS?;（3）VDS和VGS同时作用时;沟道中只有一种类型的载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管。;VDS极性接反会怎样？;3. I-V特性曲线及特性方程;② 可变电阻区 vDS （vGS－VTN）;② 可变电阻区 ;③ 恒流区（又称放大区）;（2）转移特性;4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数;1. 结构和工作原理简述;2. I-V 特性曲线及大信号特性方程;4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数;4.1.3 P沟道MOSFET;# 工作在恒流区的条件是什么？;3. 特性方程;4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数;1. 沟道长度调制效应;4.1.4 沟道长度调制等几种效应; 集成电路中，N沟道器件的衬底接电路的最低电位，P沟道器件的衬底接电路的最高电位，衬底B与源极S之间就存在衬底偏压vBS。;4.1.4 沟道长度调制等几种效应;4. 击穿效应;4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数;4.1.5 MOSFET的主要参数;4.1.5 MOSFET的主要参数;二、交流参数（饱和区）;二、交流参数;三、极限参数;4 场效应三极管及其放大电路;4.2 MOSFET基本共源极放大电路;4.2.1 基本共源极放大电路的组成;4.2.1 基本共源极放大电路的组成;4.2 MOSFET基本共源极放大电路;4.2.2 基本共源极放大电路的工作原理;4.2.2 基本共源极放大电路的工作原理;4.2.2 基本共源极放大电路的工作原理;4.2.2 基本共源极放大电路的工作原理;3. 放大电路的静态工作点估算;4.2.2 基本共源极放大电路的工作原理;4.2.2 基本共源极放大电路的工作原理;4.2 MOSFET基本共源极放大电路;4.2.3 放大电路的习惯画法;4 场效应三极管及放大电路;4.3.1 用图解方法确定静态工作点Q;4.3.1 用图解方法确定静态工作点Q;4.3.1 用图解方法确定静态工作点Q;4.3.1 用图解方法确定静态工作点Q;4.3.2 动态工作情况的图解分析;4.3.2 动态工作情况的图解分析;4.3.2 动态工作情况的图解分析;4.3.2 动态工作情况的图解分析;？;？;共源放大电路;4 场效应三极管及放大电路;4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源极放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路的分析;4.4.1 MOSFET的小信号模型;4.4.1 MOSFET的小信号模型;纯交流;4.4.1 MOSFET的小信号模型;4.4.1 MOSFET的小信号模型;4.4.1 MOSFET的小信号模型;4.4.1 MOSFET的小信号模型;4.4.1 MOSFET的小信号模型;4.4.1 MOSFET的小信号模型;4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源极放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路的分析;4.4.2 用小信号模型分析共源极放大电路;4.4.2 用小信号模型分析共源极放大电路;4.4.2 用小信号模型分析共源极放大电路;4.4.2 用小信号模型分析共源极放大电路;4.4.2 用小信号模型分析共源极放大电路;4.4.2 用小信号模型分析共源极放大电路;4.4.2 用小信号模型分析共源极放大电路;4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源极放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路的分