常用半导体传感器.pptxVIP

常用半导体传感器会计学第1页/共18页 霍尔效应的产生是由于运动电荷受磁场中洛伦兹力作用的结果： UH=KHIB洛伦兹力：FL=- ev B电荷聚集， UH产生静电场产生反力： FE=- e EU = - e UH /b平衡时： FL= FE ，- ev B= - e UH /b UH= bvB I 为控制电流： I= dQ/ dt = b d v n( - e) b v = I / [d n( - e)]则： UH= I B / [d n( - e)]取RH= 1 / [n( - e)] 霍尔常数, 由半导体材料决定则： UH= RH I B/ d取KH= RH / d则： UH= KH I Bb为霍尔元件的宽度d为霍尔元件的厚度n为单位体积内自由电子数第2页/共18页 UH = KH I B 霍尔电势的大小正比于控制电流I和磁感应强度B的乘积。KH称为霍尔元件的灵敏度，它是表征在单位磁感应强度和单位控制电流时输出霍尔电压大小的重要参数 当控制电流方向或磁场方向改变时，输出电动势方向也将改变第3页/共18页二、灵敏度1）材料电阻ρ与载流子浓度n和其迁移率μ相关， RH = (μ,ρ) (RH= 1 / [n( - e)]) 2）KH= RH / d ，则d要小，霍尔片要薄（1μm）3）霍尔片长边/短边4，输出不受影响（一般长边/短边=2, 短边通以电流，长边输出UH ）建立霍尔