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第九章 InGaN 发光二极管
近年来，以SiC、II-VI族ZnSe、Ⅲ族氮化物
(GaN)为代表的宽禁带半导体材料的迅速发展。
高亮度蓝色发光管(LED)(InGaN/GaN)
的技术突破，填补了LED三基色中蓝色的空白，白
光LED应运而生。引发了人类照明领域的又一次革
命一“半导体照明”。
一、GaN基发光器件的发展
1971年，Pankove 报道了掺Zn 的MIS结构GaN发光管，
这是最早的氮化物发光器件。发光中心为Zn杂质，工作电
压60-100V ，发光波长480nm。此时，
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