ch单晶硅特性解析实用.pptxVIP

会计学;本章主要内容;1.1硅晶体结构的特点;元素周期表;1.1硅晶体结构的特点;硅、锗、砷化镓电学特性比较;硅、锗、砷化镓电学特性比较 锗应用的最早，一些分立器件采用； GaAs是目前应用最多的化合物半导体，主要是中等集成度的高速IC，及超过GHz的模拟IC使用，以及光电器件 从电学特性看硅并无多少优势，硅在其它方面有许多优势 。; 性质;硅作为电子材料的优点 原料充分，占地壳25%，沙子是硅在自然界中存在的主要形式； 硅晶体表面易于生长稳定的氧化层，这对于保护硅表面器件或电路的结构、性质很重要； 密度只有2.33g/cm3，是锗/砷化镓的43.8%，用于航空、航天； 热学特性好，线热膨胀系数小，2.5*10-6/℃ ，热导率高，1.50W/cm·℃，芯片散热； 单晶圆片的缺陷少，直径大，工艺性能好，目前16英寸； 机械性能良好，MEMS。;固体的分类： 非晶体：没有重复结构，原子级结构杂乱无章(与晶体材料相对，如塑料)。 晶体：具有长程有序的原子模式，最基本的单元称为晶胞，晶胞在三维结构中最简单的由原子组成的重复单元 。;1.1.2硅晶胞;1.1.3硅单晶的晶向、晶面;晶体中所有原子看作处于彼此平行的平面系上，这种平面系叫晶面。 晶面可以用相邻的两个平行晶面在x，y，z轴上的截距来表示，x/h1,y/h2,z/h3。h1,h2,h3为互质整数，用晶面指数或密勒指数 (h1