碳化硅产业园建设项目实施方案_模板.docx

泓域咨询/碳化硅产业园建设项目实施方案 报告说明 相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。 根据谨慎财务估算，项目总投资32006.78万元，其中：建设投资25554.60万元，占项目总投资的79.84%；建设期利息624.48万元，占项目总投资的1.95