鞍山关于成立MOSFET功率器件公司可行性报告（参考范文）.docx

泓域咨询/鞍山关于成立MOSFET功率器件公司可行性报告  鞍山关于成立MOSFET功率器件公司 可行性报告 xx公司  报告说明 继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。 xx公