三极管的命名、参数及测试.ppt

编辑ppt 编辑ppt 三极管的命名和参数 半导体器件的命名方式 第一部分 数字 字母 字母(汉拼) 数字 字母(汉拼) 电极数 材料和极性 器件类型 序号 规格号 3 — 三极管 第二部分 第三部分 X — 低频小功率管 G — 高频小功率管 D — 低频大功率管 A — 高频大功率管 第四部分 第五部分 例： 3AX31 3DG12B 3DD6 PNP低频小功率锗三极管 NPN高频小功率硅三极管 NPN低频大功率硅三极管 3CG 3AD 3DK PNP高频小功率硅三极管 PNP低频大功率锗三极管 NPN硅开关三极管 D — 硅材料 NPN C — 硅材料 PNP A — 锗材料 PNP B — 锗材料 NPN 编辑ppt 2.1.6 半导体三极管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 用字母表示材料 用字母表示器件的种类 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示同一型号中的不同规格 三极管 1. 电流放大系数 ，? 当晶体管接成共发射极电路时，在静态(无输入信号)时集电极电流与基极电流的比值称为静态电流(直流)放大系数 当晶体管工作在动态(有输入信号)时，基极电流的变化量为 ?IB ，它引起集电极电流的变化量为 ?IC 。 ?IC 与 ?IB的比值称为动态电流(交流)放大系数 在输出特性曲线近于平行等距并且 ICEO 较小的情况下,可近似认为 ，但二者含义不同。 电流放大系数一般在10~100之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性能不稳定。一般取30~80为宜。 (1)直流参数 编辑ppt ②极间反向电流 1.集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是 Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于 集电结的反向饱和电流。 指发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。一定温度下ICBO是一个常数，所以又称为反向饱和电流。 EC ICBO 编辑ppt 2.集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系 ICEO=（1+ ）ICBO 相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。如下图所示。 EC ICEO 饱和区 截止区 IC / mA UCE /V 100 μA 80 μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 O 3 6 9 12 4 3 2 1 2.3 1.5 放 大 区 1.集电极— —基极反向饱和电流ICBO。 反向饱和电流随温度增加而增加，是管子工作状态不稳定的主要因素。因此，常把它作为判断管子性能的重要依据。硅管反向饱和电流远小于锗管，在温度变化范围大的工作环境应选用硅管。 二、极间反向饱和电流 2.集电极— —发射极反向饱和电流ICEO。 (2.1.7) 1. 电流放大系数 ，? 当晶体管接成共发射极电路时，在静态(无输入信号)时集电极电流与基极电流的比值称为静态电流(直流)放