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ChapF常用功率半导体器件及工作状态解析会计学第1页/共27页2.0 电力半导体器件种类与特点 2.0.1 半导体器件分类 从功率等级来分类 有微功率器件、小功率器件、大功率器件等等制造材料分类 有锗管、硅管等等从导电机理分类 有双极型器件、单极型器件、混合型器件等等 从控制方式来分类 可分为不可控器件、半可控器件和全可控器件三类器件 2.0.2 电力半导体器件发展水平 第2页/共27页在整流管类中，快速恢复二极管将有较大的发展在高压直流输电中，晶闸管（光控晶闸管）将有很好的发展机遇。在功率晶体管类中，以IGBT发展最为迅速 第3页/共27页2.1功率场效应管 2.1.1 概述◤功率场效应管，即功率MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 是一种单极型的电压控制器件，有驱动功率小、工作速度高、无二次击穿、安全工作区宽等显著优点。◢◤在中小功率的高性能开关电源、斩波器、逆变器中，功率场效应管成为双极型晶体管的竞争对手，并得到了越来越广泛的应用。◢ 功率场效应管结构图（a）“T”MOSFET； （b）“V”－MOSFET第4页/共27页2.1.2 MOSFET的基本特性 1；转移特性（二）输出特性 　N沟道型MOSFET的转移特性 ◤只有UGS大于门槛电压UGS（th）才有漏极电流ID流过，在ID较大时，ID和UGS近似为线性关系，亦即跨导gFS为常数：　功率MOSFET输出特性◤输出特性可以分为三个区域 :可调电阻区I，饱和区II和雪崩区III ◢◤ U GS＝10V之后，MOSFET的ID由外电路限制了。因此工作在开关状态的MOSFET正向驱动电压Ug≈10V。 ◢ 第5页/共27页2.1.3 MOSFET的基本特性 （三）MOSFET的电容 （四）开关特性 图 MOSFET各端点之间的电容图 开关特性测试电路与波形◤ MOSFET各极之间的结电容由其物理结构所决定，金属氧化膜的栅极结构决定了栅漏之间的结电容Cgd和栅源之间的结电容Cgs，MOSFET的PN结形成了漏源间的结电容Cds。 ◢ ◤表示了MOSFET的输入电容Ciss、输出电容Coss和反向传输电容Crss与结电容之间的关系。 ◢td(on)：开通延迟时间tr：上升时间 td(off) ：关断延迟时间，tf ：下降时间 第6页/共27页2.1.4 MOSFET安全工作区◤最大额定开关安全工作区是负载线可跨越而不会招致MOSFET损坏的界限，基本的限制是峰值电流IDM和击穿电压U(BR)DSS ，这个安全工作区只适用于器件开关时间小于1μs的开通和关断过程 ◢◤在其余工作条件下，使用正向偏置安全工作区。正向偏置安全工作区受功率损耗的限制，而结温是随功率损耗的变化而变化，图 b）表示的是温度为25℃时的正向偏置安全工作区。 ◢ ◤在任一温度下，某一工作电压的允许电流可通过下列等式算出： MTM 4N 50的安全工作区（a）最大额定开关安全工作区； （b）最大额定正偏安全工作区 ◤由于电流具有随温度上升而下降的负反馈效应，因而MOSFET中不存在电流集中和二次击穿的限制问题，它有较好的安全工作区（SOA） ◢ ◤是型号为MTM 4N 50(500V, 4A)的MOSFET的安全工作区，它分最大额定开关安全工作区和最大额定正向偏置安全工作区两种。 ◢第7页/共27页2．1．5 MOSFET的基本参数 （一）漏极额定电流ID和峰值电流IDM （二）通态电阻rDS(ON （三）阀值电压UGS(th) （四）漏源击穿电压U(BR)DSS （五）最大结温TJM （六）最大耗散功率PD 第8页/共27页2.2 绝缘栅极双极型晶体管 (IGBT )1.5.1IGBT的结构与工作原理 IGBT的结构剖面图 IGBT简化等效电路及信号◤由结构图可以看出，IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区BJT，其简化等效电路如图1-26所示，图中电阻Rdr是厚基区BJT基区内的扩展电阻。 ◢ ◤ IGBT是以BJT为主导元件，MOSFET为驱动元件的达林顿结构器件，图示器件是N沟道IGBT，MOSFET为N沟道型，BJT为PNP型。 ◢ ◤绝缘栅极双极型晶体管简称IGBT,它将功率MOSFET与BJT的优点集于一身，既具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、驱动电路简单等优点，又具有通态压降低、耐压高和承受电流大等优点 ◢第9页/共27页IGBT的基本特性 伏安特性转移特性◤ IGBT的伏安特性是指以栅极电压UGE为参变量时，集电极电流IC与集电极电压UCE之间的关系曲线 ◢◤ IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似，也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分 ◢◤