2.3 半导体器件与集成电路芯片.pdfVIP

半导体器件与集成电路芯片 一、概述 电子电路是以电子元器件为核心的基本电路，学 习常用电子元器件的基础知识，学会识别和测量常见 电子元器件，是学好电子电路必须具备的基本技能。 本节实验内容仅对模电和数电中常用的半导体及集成 电路等电子元器件作简要介绍。 电子技术实验MOOC 课程团队 厦门大学物理与机电工程学院 二、常用二极管及主要参数 二极管是一种具有单向导电的二端器件，几乎在 所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许 多的电路中起着重要的作用。 1、整流二极管1N4001 整流二极管1N4001的负极侧用一银色色环标记， 其主要参数为：额定整流电流I =1A,正向压降最大值 D 1.1V，常温下最大反向电流5A，最大反向耐压50V。 电子技术实验MOOC 课程团队 厦门大学物理与机电工程学院 二、常用二极管及主要参数 2、整流二极管1N4007 整流二极管1N4007和1N4001的参数基本相同，其 最大反向耐压达到1000V。 3、开关二极管1N4148 开关二极管1N4148的型号标识在外壳上，并用一 黑色的色环标识负极。主要参数为：最大正向电流 200mA，最大反向电压100V，正向压降≤1V，反向恢 复时间5nS。 电子技术实验MOOC 课程团队 厦门大学物理与机电工程学院 二、常用二极管及主要参数 4、稳压管2WD234 该稳压管内部含有两只稳压二极管，负极连接在一 起，为一个引脚，两个正极分别引出，共三个引脚。 主要参数为：稳定电压为6.0～6.5V，最大工作电流为 30mA，动态电阻约10欧姆。 电子技术实验MOOC 课程团队 厦门大学物理与机电工程学院 二、常用二极管及主要参数 5、二极管的测量 普通二极管：利用数字万用表可以测试二极管的好坏，将 万用表置于二极管符号的档位。具体操作：将红色表笔接到二 极管的正极，黑表笔接到负极，数字万用表的指示值为0.65V左 右（硅管）或0.3V左右（锗管）；把表笔反向连接，万用表指 示为溢出符号“1”。如果正反向测量显示数差别不大，则说明 二极管性能不佳，如果显示数均接近于零，说明二极管已经击 穿短路，如果显示数均已溢出，则说明二极管已经烧坏。 电子技术实验MOOC 课程团队 厦门大学物理与机电工程学院 二、常用二极管及主要参数 发光二极管：检测时，用万用表两表笔轮换接触发光二极 管的两管脚。若管子性能良好，必定有一次能正常发光，此时 红表笔所接的为正极，黑表笔所接的为负极。 红外发光二极管的检测：通常红外发光二极管长引脚为正 极，短引脚为负极。另外从管壳内的电极来判断，内部电极较 宽较大的一个为负极，而较窄且小的一个为正极。 电子技术实验MOOC 课程团队 厦门大学物理与机电工程学院 三、常用晶体管（三极管） 1、晶体管的分类 晶体管分双极型晶体管（BJT）和场效应管（FET ）两大类。从用途上来分。晶体管包括低频管、高频 管、开关管等；功率大于1W的属于大功率管，功率小 于1W的属于小功率管。 电子技术实验MOOC 课程团队 厦门大学物理与机电工程学院 三、常用晶体管（三极管） 2、晶体管的主要参数 晶体管的参数很多，不同的晶体管参数和侧重点也 不同。 （1）极限参数 PCM ：集电极最大允许功率损耗。在实际电路中， 晶体管的集电极IC与UCE 的乘积要小于PCM值。 ICM ：集电极最大允许电流。指由于晶体管集电极 电流IC过大使β值下降到规定允许值时的IC 电流。 电子技术实验MOOC 课程团队 厦门大学物理与机电工程学院 三、常用晶体管（三极管） （2 ）反向击穿电压： U(BR)BEO ：晶体管集电极开路时，发射结的最大反 向电压； U(BR)CBO ：晶体管发射极开路时，集电结的最大反 向电压； U(BR)CEO ：晶体管基极开路时，加在集电极和发射 极之间的最大允许电压。 电子技术实验MOOC 课程团队 厦门大学物理与机电工程学院   三、常用晶体管（三极管） （3 ）直