集成光学器件的材料.ppt

第七章四节 集成光学器件的材料;集成光学是以光的形式发射、调制、控制、和接收信号，集光信号的处理功能为一身的新一代集成光学器件。 其最终目的是代替目前的电子通信手段，实现全光通讯。;编辑课件; 光子集成用材料的共同要求;半导体材料;间接带隙半导体材料 直接带隙半导体材料;间接带隙半导体材料---Si;SOI光波导 (Silicon-on-Insulator, 绝缘体上硅);SOI光波导特点;直接带隙半导体材料;表7.1 InGaAsP材料体系主要参数;表7.2 纤锌矿型GaN、AlN材料体系主要特性;?相的GaN为直接带隙半导体，Eg=3.39eV InxGa1-xN的Eg=1.95~3.39eV； AlxGa1-xN的Eg=3.39~7.28eV；均为直接带隙半导体材料。是紫外LED、LD的主要材料。 主要问题： 衬底材料为Al203（蓝宝石）和SiC，异质外延生长 高的缺陷密度 缺乏解理面（国家“863”计划—VCSEL） InGaN/GaN量子阱的发光机理不清，热电、压电 等理论和实验均有许多问题有待解决 ;表7.3 闪锌矿型GaN、AlN材料体系主要特性;7.3 介质材料（dielectric material ）;LiNbO3和LiTaO3晶体;6.1 典型材料与制作技术; 材料与制作方法的选择需遵循下述原则： 波导层厚度和折射率的误差要小且均匀；