电工和电子技术A电 子 技 术.pptVIP

例：右图所示电路，UZ=8V，IZM=18mA，US=20V， 问R=500Ω是否合适，应为多少？ 解：I= =24mA＞18mA 不适合。 R≥ =667Ω R US-UZ = 20-8 500 20-8 18 US=20V R UZ=8V 14.6光电器件 14.6.1发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似，正向电压较一般二极管高，电流为几 ~ 几十mA。 所发出光的颜色由半导体中所掺杂质决定,常见的红、黄、绿色掺入了磷砷化镓和磷化镓。 符号 14.6.2光电二极管 光电二极管是利用PN结的光敏特性,将接收到的光的变化转变为电流的变化。 反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 符号 光电二极管 14.6.3光电晶体管 普通晶体管是用基极电流IZ的大小来控制集电极电流，而光电晶体管是用入射光照度的强弱来控制集电极电流的。 符号 C E 光电耦合器 光电耦合电路 UO +5V U R1 R2 R3 T 14.5 晶体管 晶体管又称半导体三极管，是一种重要的半导体器件。它的放大作用和开关作用引起了电子技术的飞跃发展。 14.5.1 基本结构 晶体管的结构，目前常见的有平面型和合金型两类。硅管主要是平面型，锗管都是合金型。 而从制造型号上，常分为NPN型和PNP型。 14.5.1 基本结构 N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 14. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 下一页 总目录 章目录 返回 上一页 电工与电子技术A(下)电 子 技 术 教材:《电工学》（下）秦曾煌主编 高教出版业 主要参考：《电子技术》陈正传 罗会昌主编，机械工业出版社 成绩：期终考试占80%， 平时（作业）占10%， 实验占10%。 进行成绩评定办法的改革。 本课程共计66学时，其中理论课时50学时， 实验学时16学时，我们共做8个实验。 答疑安排：每周一、四晚7：30—9：30。 地点：实验大楼三楼C13室， 中部“电工电子教研室”。 电子技术分： 模拟电子技术， 数字电子技术。 模拟电子技术研究模拟电路， 数字电子技术研究数子电路。 模拟信号是指在时间和数值上都连续的信号。 数字信号是指在时间和数值上都不连续的信号，即所谓离散的。 t t 第14章 二极管和晶体管 14.3 半导体二极管 14.4 稳压二极管 14.5 晶体管 14.2 PN结及其单向导电性 14.1 半导体的导电特性 14.6 光电器件 第14章 二极管和晶体管 学习电子技术，就是要掌握常用半导体器件的原理、特性，以及由这些器件所组成的电子电路的分析方法。二极管与晶体管是最常用的半导体器件，而PN结是构成各种半导体器件的基础。 14.1 半导体的导电特性 什么是半导体? 半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 例如：硅、锗、硒以及大多数金属氧化物和硫化物都是半导体。 半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别。 14.1 半导体的导电特性 半导体的导电特性： (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、晶体管和晶闸管等）。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 本征半导体