第五章 半导体器件.ppt

1.1.2 PN结的单向导电性 1．PN结正向偏置 - - - - - - P N + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + R S E内 + + + + + + PN结正偏动画演示 小结： ▲当PN结加上正向电压时，形成 多子的扩散电流（较大）。 - - - - - - P N + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + R S E内 + + + + + + 2．PN结反向偏置 PN结反偏动画演示 小结： ▲当PN结加上反向电压时，形成少子的漂移电流（很小）。 ▲因少子浓度主要与温度有关，反向电流与反向电压几乎无关。此电流称为反向饱和电流，记为IS。 1.1.3 PN结的电压与电流关系 + + + + + + _ P N _ _ _ _ _ u i IS—PN结反向饱和电流 UT —热电压 式中 UT=KT q q——电子电量 T——绝对温度 在室温（T=300K)时， K——玻耳兹曼常数 其中 （1）当u=0时，i=0 （3） 当u0，且|u|UT时，i?-IS 讨论： （2）当u0，且uUT时， 思 考 题 1. 半导体中的载流子浓度主要与那些因素有关？ 2. 温度升高，半导体的导电率如何变化？ 3. 扩散电流与漂移电流的区别是什么？ 1.2 半导体二极管 半导体二极管的结构和类型 二极管就是一个封装的PN结 平面型 点接触型 引线 触丝 外壳 N型锗片 N型硅 阳极引线 PN结 阴极引线 金锑合金 底座 铝合金小球 半导体二极管的外型和符号 负极 外型 正极 正极 负极 符号 半导体二极管的类型 （1）按使用的半导体材料不同分为 （2）按结构形式不同分 硅管 锗管 点接触型 平面型 半导体二极管的伏安特性 硅管 0 0. 8 反向特性 正向特性 击穿特性 0 0. 8 反向特性 锗管 正向特性 uD iD (1) 整个正向特性曲线近似地呈现为指数形式。 (2) 有死区（iD≈0的区域） 1．正向特性 死区电压约为 硅管0.7V 锗管0.3V O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 U(BR) 反向特性 uD (3) 导通后（即uD大于死区电压后） O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 U(BR) 反向特性 uD 即 uD升高， iD急剧增大 2．反向特性 （1）当 时， IS 硅管0.1?A 锗管几十到几百?A O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 U(BR) 反向特性 uD (2) 当 时 反向电流急剧增大 击穿的类型： 根据击穿可逆性分为 电击穿 热击穿 二极管发生反向击穿 O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 U(BR) 反向特性 uD c. 降低反向电压，二极管仍能正常工作。 PN结被烧坏，造成二极管的永久性损坏。 二极管发生反向击穿后，如果 a. 功耗PD( = |UDID| )不大。 b. PN结的温度小于允许的最高结温 硅管150∽200oC 锗管75∽100oC 热击穿： 电击穿： a. 齐纳击穿 (3) 产生击穿的机理： 条件：半导体的掺杂浓度高 击穿电压低于4V 击穿电压具有负的温度系数 电场将PN结的价电子从共价键中激发出来。 击穿的机理： 击穿的特点 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 1.1.1 PN结的形成 1 半导体二极管及其应用 1.1 PN结 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间。 最常用的半导体材料： 物体根据其导电能力（电阻率）分 半导体 Semiconductor 绝缘体 导体 锗Ge 硅Si +14 2 8 4 Si 硅原子结构示意图 +32 2 8 18 Ge 锗原子结构示意图 4 原子结构示意图 平面结构 立体结构 Si Si Si Si Si Si Si Si Si 1. 本征半导体 本征半导体就是完全纯净的半导体。 Si Si Si Si Si Si Si Si Si 共价键 价电子 Si Si Si Si Si Si Si Si Si 本征激发产生电子和空穴 自由电子 空穴 Si Si Si Si Si Si Si Si Si 电子、空穴成对产生 Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si 电子、空穴成对产生 电子、空穴成对复合 电子