第1章 半导体二极管及其基本电路.ppt

1.1　半导体的基础知识;;导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。;(1)热敏特性：半导体的导电能力与温度有关，利用该特性可做成热敏电阻;硅(锗)的原子结构;（2）本征半导体的晶体结构;（3）本征半导体的导电情况;可见本征激发同时产生电子空穴对。 外加能量越高（温度越高），产生的电子空穴对越多。; 结论： 1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少； 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电； 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。;1.1.2 杂质半导体;在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。;1.1.2 杂质半导体;N 型半导体中的载流子是什么？;在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时，产生一个空位。这个空位可能吸引束缚电子来填补并产生一个带正电的空穴，使得硼原子获得电子成为不能移动的带负电的离子。由于硼原子接受电子，所以称为受主原子。 ;;3、 杂质半导体中载流子的浓度;（1）杂质半导体的导电作用;（2）P 型、N 型半导体的简化图示; 小结： N型半导体掺微量五价元素，多子自由电子，少子 空穴； 2. P型半导体掺微量三价元素，多子空穴，少子自由电子； 3. 多子浓度主要取决于掺杂浓度，少子浓度主要取决于温度； 4. 本征半导体和杂质半导体都呈电中性。 ;在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结。;;P型半导体;（3） 继续扩散和漂移达到动态平衡;1、空间电荷区中没有载流子。;;2）外加反向电压(反向偏置);反向饱 和电流; 根据理论分析： （1）正向特性 （2）反向特性;（2）伏安特性曲线;（3）温度对伏安特性的影响;O;反向击穿类型：;4. PN结的电容效应;按电容的定义 ; 1.势垒电容CB 势垒电容是由阻挡层内空间电荷引起的。空间电荷区是由不能移动的正负杂质离子所形成的,均具有一定的电荷量, 所以在ＰＮ结储存了一定的电荷, 当外加电压使阻挡层变宽时, 电荷量增加, 如图所示；反之, 外加电压使阻挡层变窄时, 电荷量减少。即阻挡层中的电荷量随外加电压变化而改变, 形成了电容效应, 称为势垒电容,用ＣB表示。理论推导 ; 2.扩散电容CD 扩散电容是ＰＮ结在正向电压时, 多数载流子在扩散过程中引起电荷积累而产生的。当ＰＮ结加正向电压时,Ｎ区的电子扩散到Ｐ区, 同时Ｐ区的空穴也向Ｎ区扩散。 显然, 在ＰＮ区交界处载流子的浓度最高。由于扩散运动, 离交界处愈远, 载流子浓度愈低, 这些扩散的载流子, 在扩散区积累了电荷。若ＰＮ结正向电压加大, 则多数载流子扩散加强, 电荷增加量为ΔＱ；反之, 若正向电压减少, 则积累的电荷将减少, 这就是扩散电容效应CD, 扩散电容正比于正向电流, 即ＣD∝I。;2 .扩散电容CD;小结;;1.2.1 半导体二极管的结构和类型;;1.2.1 半导体二极管的结构和类型;1.2.1 半导体二极管的结构和类型; 点接触型二极管的特点是结面积小，因而结电容小， 适用于较高频率(如几百兆赫兹)下工作，但允许工作电流较小(几十毫安以下)。 主要用于高频时的检波器、混频器等。;负极引线 ;精选ppt;1.2.2 二极管的伏安特性;UD(on);硅管的伏安特性;1.2.3 温度对二极管伏安特性的影响;1.2.4 二极管的主要参数;1.2.5　半导体二极管的型号及选择;1 理想二极管模型;Uon;【例1-1】 电路如图1-15所示，VD为硅二极管，R=2k?， 求出VDD=2V和VDD=10V时IO和UO的值。;3. 二极管的折线模型;4 .二极管的微变信号模型; 若在二极管电路中除有直流信号外，再引入微小的变化（交流小信号），则二极管的工作状态将在直流工作点Q附近作微小的变动。为了分析二极管在Q附近电压和电流微小变化量之间的关系，可以用伏安特性在Q处的切线近似表示实际的二极管伏安特性上的这段曲线。 则对电路进行交流分析时，二极管可等效?为交流电阻 rd=UT/IDQ??? (IDQ为静态电流） ;4 . 二极管的交流小信号模型;ui;2. 动态分析;小结;1. 根据已知条件选定二极管模型 2. 设二