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- 2022-05-05 发布于广东
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HGTG30N60A4
Data Sheet November 2013 File Number 4829
600 V SMPS IGBT Features
The HGTG30N60A4 combines the best features of high • 60 A, 600 V @ TC = 110°C
input impedance of a MOSFET and the low on-state • Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 1.8 V @ IC = 30 A
conduction loss of a bipolar transistor. This
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