模拟电子技术基础：1.3 晶体三极管.pptVIP

模拟电子技术 晶体三极管 辉煌历史 一、晶体管的结构和类型 二、晶体管的电流放大作用 （1）因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。 （2）发射区的电子注入基区后，少部分遇到的空穴复合掉，形成IBN。所以基极电流I B ≈ I BN 。大部分到达了集电区的边缘。 （3）因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子，形成集电极收集电流ICN 。 三、晶体管的共射特性曲线 现以IB=60uA一条加以说明。 小结 由晶体管的伏安特性曲线可知，晶体管是一种复杂的非线性器件。在直流工作时，其非线性主要表现为三种截然不同的工作状态，即放大、截止和饱和。在实际应用中，根据实现的功能不同，可通过外电路将晶体管偏置在某一规定状态。因此，在晶体管应用电路分析中，一个首要问题，便是晶体管工作状态分析。 * * 1999年，《洛杉矶时报》评选出了“本世纪经济领域50名最有影响力人物”，并列第一的是美国发明家维廉·肖克利（William Shockley，1910-1989）、罗伯特·诺伊斯（Robert N.Noyce，