模拟电子技术基础：第3讲 晶体管.pptVIP

三极管处于放大状态时，三个极上的 电流关系： 电位关系： 晶体管工作情况总结 NPN管与PNP管的区别 iB、uBE、iC、 iE 、uCE的极性二者相反。 NPN管电路 PNP管电路 硅管与锗管的主要区别 (3) 锗管的ICBO比硅管大 (1) 死区电压约为 硅管0.5 V 锗管0.1 V (2) 导通压降|uBE|约为 锗管0.3V 硅管0.7 V 四、晶体管的主要参数 直流参数 共基直流电流放大系数 共基交流电流放大系数? 共射交流电流放大系数? 共射直流电流放大系数 极间反向电流 2. 交流参数 特征频率fT i CE △ =20uA (mA) B =40uA I C u =0 (V) =80uA I △ B B B I B i I B I =100uA C B I =60uA i 2. 交流参数 (1) 共基极交流电流放大系数α β值与iC的关系曲线 (2) 共射极交流电流放大系数β iC O β 3. 极限参数 四、晶体管的主要参数 ① ICM —— 集电极最大允许电流 当集电极电流增加时，? 就要下降，当?值下降到线性放大区?值的2/3时所对应的最大集电极电流 当IC＞ICM时，三极管并不一定会损坏。 ② PCM —— 集电极最大允许功耗 晶体管工作在放大状态时，c结承受着较高的反向电压，同时流过较大的电流