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泓域咨询/碳化硅项目分析报告
报告说明
高饱和漂移速度带来更小的能量损耗。高饱和漂移速度意味着载流子能更快地迁移，以及更低的电阻。这也使得碳化硅材料中的能量损耗大大减小。与硅相比，相同规格的碳化硅基MOSFET和硅基MOSFET相比，导通电阻降低为1/200，尺寸减小为1/10；相同规格的使用碳化硅基MOSFET和使用硅基IGBT的逆变器相比，总能量损失小于1/4。这些特点为碳化硅材料在光伏逆变器、高频器件中的应用提供了有力的支撑。
根据谨慎财务估算，项目总投资24733.95万元，其中：建设投资20030.44万元，占项目总投资的80.98%；建设期利息489.80万元，占项目总投资的1.9
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