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会计学;光电探测器的基本原理及一般分类 光纤通信用光电二级管分类 InGaAs PIN－PD光电二极管原理工艺及相关参数 APD 光电二极管原理及相关参数 小结 ;光电探测器的基本原理及一般分类;光电探测器的基本原理及一般分类;光电探测器的基本原理及一般分类;光电探测器的基本原理及一般分类;光电探测器的基本原理及一般分类;光纤通信用光电探测器;2:玻璃光纤通信波长范围 0.7－1.65um SMF （O E S C L 波段1260-1675nm） O初始波段：1260-1360 E扩展波段：1360-1460 S短波段：1460-1530 C常规波段：1530-1565 L长波段：1565-1625 U超长波段：1625－1675;光纤通信用光电探测器;光纤通信用光电探测器;光纤通信用光电探测器;光纤通信用光电探测器;光纤通信用光电探测器;InGaAs PIN PD 工作原理;InGaAs PIN PD 工作原理;3 能带：Ec conduction ; Ev valence ; Eg band gap 固体由分立的原子凝聚而成．因此固体中的电于状态不同于原子中的电子状态，但两者的电子状态之间又必定存在着联系。当每个原子都处于孤立状态时，电子都有相同的能级结构。如将这些孤立原子看作一个系统，那么每个电子能级都是简并的。如果将这些原子逐渐靠近。则它们之间的相互作用就会增强。首先是最外层的波函数发生交叠，这时相应于孤立原子的电子能级，内于原子之间的相互作用就要解除简并。原来具有相同能值的几个能级将分裂为具有不同能量值的几个能级。原于的间距愈小，电子波函数的交叠就越厉害，则分裂出来的能级之间的能量差距就放大。若由N个相同原子聚集而成为固体，则相应于孤立原子的每个能级将分裂成N个能级。由于原子数N很大，所以分裂出来的能级将是 十分密集的。它们形成一个能量数值上准连续的能带，称为允许带。由不同的原子能级所形成的允许带之间的间隔为禁止能带。 ; ;4 光电吸收 A：hv=Eg时，电子会从价带跃迁到导带，形成电子空穴对。 B：hvEg时，不会发生电子跃迁。;5: 异质结，PIN结构及特点 PN结使用同种材料制作的称为同质结，采用不同材料制作的称为异质结。另外还有同型同质结，异型异质结。采用两种材料制作的形成的异质结具有某些同质结不具备的功能。如，异质结晶体管中用宽带的一侧做发射极会得到较高的注入比等，在激光器的应用中的载流子及光子的限制作用，PD中的透明窗口作用等。 ; ;单的PN结，是在反向偏压作用下增加内建电场和耗尽层厚度。在入射光的作用下产生电子空穴对，这些电子空穴对在耗尽层内的以较高的速度漂移，在耗尽层外则以扩散速度向两个电极运动，因此总的速度较慢，要增加响应速度就不得不增加反压来增加耗尽层宽度。另外的办法是使N层的掺杂浓度降低来从而在固定的偏压下获得较高的耗尽层厚度，从而提高速度。因而考虑在PN结中间增加I（近乎本征）层的区域。 Va：外加偏压 Nd： 载流子浓度 Wd：耗尽层厚度 ;6 PIN PD的光电特性 6.1 η量子效率和响应度R η=1 T1 为投射率，α0 为吸收系数 InGaAs PD：R=0.85A/W@1310nm GaAs PD :R=0.5A/W@850nm;6.2 暗电流（Id－Vr关系） 无光照射下，在外加偏压下的PD电流。 暗电流根据形成机理主要分： 扩散电流，产生复合电流，隧穿电流，表面漏电流 6.2.1扩散电流Idiff：耗尽区周围的非耗尽区P区和n区内的少数载流子向耗尽区扩散形成的电流。扩散电流密度Jdiff：Js: 饱和扩散电流密度 ni: 本征载流子密度 Dp：空穴扩散系数 Lp ：空穴扩散长度;6.2.2 产生复合电流（Generation－recombination current） Ig-r:耗尽区内的电子空穴对产生和复合形成的电流。 teff是：载流子等效寿命 在Vr反偏电压较低的时候，暗电流主要是以上两种因素。且产生复合电流是温度较低的情况占主要地位，扩散电流是温度较高情况下占主要地位。 6.2.3 隧穿电流（Tunneling Current） 当外加偏压足够高时，隧穿电流逐渐占主要地位。隧穿电流的主要特性是类似于指数变化的软击穿特性。 6.2.4 表面漏电流（Leakage current） 由于表面钝化工艺引起的表面电荷迁移引起。 80um diameter InGaAs Planar PIN PD Id=50pA(低偏压到中等偏压时，Id与面积成正比，偏压较高时Id与直径成正比，见后图) ;第