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Er3+掺杂半导体CdS材料发光制备与研究
摘 要
硫化镉（CdS）作为半导体材料不仅具有良好的物理性能，而且其较宽的禁带能，够降低稀土掺杂半导体材料的温度猝灭效应。因为稀土Er中的Er3+离子，其辐射的光谱波长范围能够覆盖可见光的红色到紫色光谱区。因此，用稀土Er掺杂CdS有望得到受温度影响小的高效的彩色发光器件。
本文在常压下，采用化学气相沉积法在基片上成功制备出稀土Er掺杂的CdS材料。拟利用X射线衍射法、电子显微镜、紫外可见光吸收光谱、红外光谱对制备的铕掺杂的CdS（CdS:Er）样品进行表征。然后探究不同反应时间、不同反应温度、不同储存条件、不同
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