年产xx吨碳化硅项目可行性研究报告【模板范本】.docx

泓域咨询/年产xx吨碳化硅项目可行性研究报告  年产xx吨碳化硅项目 可行性研究报告 xx有限责任公司  报告说明 外延可满足不同应用领域对器件参数要求。外延是指在碳化硅衬底上生长了一层与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的过程。为了满足SiC器件在不同应用领域对电阻等参数的特定要求，必须在衬底上进行满足条件的外延后才可制作器件，因此外延质量的好坏将会影响SiC器件的性能。目前SiC衬底上常见外延有SiC同质外延和GaN异质外延，前者用于功率器件，后者用于射频器件。 根据谨慎财务估算，项目总投资30803.39万元，其中：建设投资24384.77万元，占项目总投资的79.16%；建设期利息