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半导体光电子器件课程梳理
Chap 1 绪论
1.半导体激光器的发展
第一发展阶段一一同质结构注入型激光器（二十世纪60年代初）
特点：对注入的载流子和光场没有限制，阈值电流密度高，只能在液氮和脉冲状态下工作
第二发展阶段—一单异质结注入型激光器（二十世纪60年代末）
特点：利用异质结提供的势垒把注入电子限制在GaAS P-n结的结区内，降低阈值电流 密度
第三发展阶段—一双异质结注入型激光器（二十世纪70年代初）
特点：1）窄带隙的有源区两侧的宽带隙材料对注入的载流子有限制作用；
2）有源区为高折射率材料，两侧包层是低折射率材料，形成的光波导能够将光 场的大部分限制在有源区内，从而减小阈值电
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