CMOS的制造(工艺)流程图.docx

. . .. . . CMOS 反相器的制造 工艺流程 . 专业专注 . . . .. . . 院系：交通科学与工程学院学号: ： 2013 年 12 月 9 日 . 专业专注 . . . .. . . 摘 要：虽然集成电路制造工艺在快速发展,但始终都是以几种主要的制造工艺为基础。文章介绍了 CMOS 反相器的主要工艺流程,并对集成电路的主要制造工艺作了简要分析。 关 键 词： CMOS反相器 、工作原理、工艺流程 1.1CMOS 反相器 介绍 CMOS 反相器由一个 P 沟道增强型 MOS 管和一个 N 沟道增强型 MOS 管串联组成。通常 P 沟道管作为负载管，N 沟道管作为输入管。这种配置可以大幅降低功耗，因为在两种逻辑状态中， 两个晶体管 中的一个总是截止的。处理速率也能得到很好的提高，因为与 NMOS 型和 PMOS 型反相器相比，CMOS 反相器的电阻 相对较低 1.1工作原理 两个 MOS 管的开启电压 V 0， V 0，通常为 GS(th)P GS(th)N 了保证正常工作，要求 V 了保证正常工作，要求 V 为低电平 DD GS(th)P GS(th)N I (如 0V)，则负载管导通，输入管截止，输出电压接近 V 。若输入 DD . 专业专注 . . . .. . . I DDv 为高电平(如 V )，则输入管导通，负载管截止，输出电压接近 I DD I o I o综上所述，当 v 为低电平时 v 为高电平；v 为高电平时 I o I o 为低电平，电路实现了非逻辑运算，是非门——反相器。 . 专业专注 . . . .. . . CMOS 的制造流程 CMOS 是集成电路的最基本单元，它的制作流程可分为前段和后段，前段流 程主要完成元件的制作，包括组件隔离区的形成、阱的植入、栅极的制成、LDD 的植入、源极和漏极的制成。后段流程主要完成元件之间的互连，包括第一层金 属的制成、第二层金属的制成、保护层和焊垫的制成。以 0.25 微米制程为例， 具体分为以下步骤。 组件隔离区的形成 初始清洗 初始清洗就是将晶圆放入清洗槽中，利用化学或物理的方法将在晶圆表面的 尘粒，或杂质去除，防止这些杂质尘粒，对后续的制程造成影响，使得组件无 法 正常工作。表 2.1 是半导体制程中所用到的标准清洗步骤。 骤步清洗温1 骤 步 清洗温 1 2 3 4 5 6 7 8 化学溶剂 H SO+HO (4:1) 2 4 D.I Water 2 2 度 120℃ 室温 NH OH+H O +H O 90 80- ℃ 4 D.I Water 2 2 2 室温 HCL+H O +H O (1:1:52) 2 2 90 80- ℃ D.I Water HF+H O (1:50) D.I Water 2 室温 室温 室温 清除之污染物 有机污染物洗清 微尘洗清 金属离子洗清 原生氧化层 洗清 前置氧化 . 专业专注 . . . .. . . 图 2.2 为前置氧化示意图。先长一层薄薄的二氧化硅，目的是为了降低后续 制程中的应力，因为要在晶圆的表面形成一层厚的氮化硅，而氮化硅具有很强的 应力，会影响晶圆表面的结构，因此在这一层氮化硅及硅晶圆之间，加入一层二 氧化硅减缓氮化硅的应力，因为氮化硅具有拉力而二氧化硅具有张力， 因此加入 一层二氧化硅可以平衡掉硅晶圆表面的应力。 图 2.2 前置氧化 沉积氮化硅 . 专业专注 . . . .. . . 图 2.3 为沉积氮化硅示意图。利用 PECVD 的技术沉积氮化硅，用来隔绝氧气 与硅的接触，以定义出组件隔离的区域，使不被氮化硅所覆盖的区域，被氧化而 形成组件隔离区。 离子布植--离子布植是将所需的注入元素(如砷)电离成正离子，并使其获得所需的能量，以很快的速度射入硅芯片的技术 。而这个固体材料主要是由原子核 和电子组成的。 图 2.3 沉积氮化硅 组件隔离区的光罩形成 图 2.4 是组件隔离区的光罩形成示意图，利用微影的技术，上光阻，将要氧 化绝缘的区域的光阻去除，而定义出组件隔离区。 图 2.4 组件隔离区的光罩形成 氮化硅的蚀刻 图 2.5 是氮化硅的蚀刻示意图，将需要氧化区域的氮化硅利用活性离子蚀刻 法去除。接着再将光阻去除。 . 专业专注 . . . .. . . 图 2.5 氮化硅的蚀刻 元件隔离区的氧化 图 2.6 是元件隔离区的氧化示意图，利用氧化技术，在组件隔离区长成一层 厚厚的二氧化硅，形成组件的隔离区。 注：氧化--二氧化硅(SiO2)的制作方法有:1.热氧化法；2.沉积法；3.阳极氧 化法；4.氧离子注入氧化法。其中较常用的热氧化法又可分为 1.干氧化法；2. . 专业专注 . . . .. . . 湿氧化法；3.纯水氧化法；4.掺氯氧化法 。而湿氧化法又有普通湿氧氧化法及