半导体物理学：第3章 半导体中载流子的统计分布1.pdfVIP

第三章 半导体中载流子的统计分布 一、状态密度 Density of State (DOS) 状态密度g(E)： 能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数 dZ E – E+dE之间无限小能量间隔内的量子态数 g(E) = dE 能量间隔 计算步骤 ： a. 单位k空间中的量子态数 k空间中的状态密度 ； b. k空间中与能量E到E+dE间所对应的k空间体积 ； c. a*b得到能量E到E+dE间的量子态数dZ; d. 由g(E) = dZ/dE得到状态密度 ； k空间 以波矢k的三个互相正交的分量k , k , k 为坐标轴的直 x y z 角坐标系所描写的空间为k空间。 1、k空间的状态密度 在k空间中每个状态 （由一组n , n , n 所决定 ）所 x y z 占k空间体积为1/L3 k = n /L x x k = n /L n , n , n = 0, ±1, ±2,…… y y x y z k = n /L z z 因而 ，k空间中代表点的密度，也即是k空间中电子 3 3 允许能量状态密度为1/（1/L ) = L =V（晶体体积 ） 如果计入电子的自旋 ，则电子的允许量子态密度是2V 2、等能面 2 2 * 一维情况 导带底 ：E(k)-E(0) = hk /2mn 2 2 * 价带顶 ：E(k)-E(0) = - hk /2mp 2 2 2 2 * 三维情况 E(k)-E(0) = h (k +k +k )/2m x y z n (k -k )2 (k -k )2 (k -k )2 x x0 y y0 z z0 + + = 1 2m *(E-E ) 2m *(E-E ) 2m *(E-E ) x 0 y 0 z 0 h2 h2 h2 当E(k)为某一定值时 ，对应于许多组不同的（ k、k 、