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会计学 1 基于增强型扫描结构ESFFSED的老化加固 2 References Keith A. Bowman, James W. Tschanz, Nam Sung Kim, Energy-Efficient and Metastability-Immune Resilient Circuits for Dynamic Variation Tolerance[J]. IEEE Journal OF Solid-State Circuits, vol. 44, No. 1, January 2009：49-63 A. Goel, S. Bhunia, H. Mahmoodi, and K. Roy. Low-overhead design of soft-error-tolerant scan flip-flops with enhanced-scan capability [C] // Proceedings of Asia and South Pacific Conference on Design Automation,Yokohama, 2006:665-670 Keith A. Bowman North Carolina State University and He is currently a Staff Research Scientist in the Circuit Research Lab (CRL) at Intel Corporation A. Goel Stanford University Associate Professor and serve on the technical advisor board for Twitter Inc . 第1页/共23页 3 背景介绍 在安全关键应用领域，如汽车自动化，数字系统错误是不可被接受的，在一些高效的系统中，要使得电子系统在很长一段时间(如15年或者更长仍然能够于恶劣的环境下正常工作,电路的老化必须被考虑到。深亚微米工艺下，半导体老化变的更加突出。老化会导致长期的系统性能退化，严重影响着系统的安全操作。可靠性操作变得越来越重要。同时，电路对软错误变得也越来越敏感。检测老化和软错误是目前安全性研究的热点。本文将检测老化和软错误整合到了一个单元里面。 第2页/共23页 4 主要内容 第3页/共23页 5 基础知识 第4页/共23页 6 老化现象 晶体管的工艺参数（如Vth ）会随着工作时间、施加电压、环境温度的变化而变动。随着关键尺寸不断缩小，NBTI成为影响老化的主要因素。 工作时间 施加电压 环境温度 ΔVth ∝ tn NBTI ΔVth ∝ e -(Ea/KT) ΔVth ∝ e[(|Vgs|-Vtp|)/E0tox] 导致| Vth|增大 第5页/共23页 7 老化现象 NBTI效应 Negative Bias Temperature Instability 正氧化层电荷Qf，是由热空穴和界面缺陷作用形成的 界面态Nit，普遍认为是Si-SiO2界面处的Si-H键断裂，留下一个正电性的Si悬挂键 郝跃，刘红侠.微纳米MOS器件可靠性与失效机理[M].北京：科学出版社，2008：209-233 第6页/共23页 8 老化现象 界面态Nit和固定电荷Qf的形成示意图： Si O H + Qf OH Nit 界面态 固定电荷 + 电化学反应模型： Si3≡SiH +O3 ≡SiOSi ≡ O3→ Si3≡Si•+ O3 ≡Si++ O3 ≡SiOH+e+ Y Nit Qf X SiO2层 Si衬底 第7页/共23页 9 老化现象 NBTI导致影响：晶体管阈值电压Vth的变动将会导致传播延迟的增大，从而影响电路的正常性能。 物理机制 器件特性 电路影响 NBTI 阈值电压：| Vth | … … 延迟时间：Td … … Td=CVDD/ID=C/(W/2L)µeffCoxVDD(1- | Vth | /VDD) | Vth | Td （北京大学微电子研究院教程） 第8页/共23页 10 老化现象 基于时序延迟Td的老化检测机制（Razor flip-flop结构） 通常是在系统主从触发器MSFF上并联一个锁存器LATCH，数据信号D在同一时钟控制下被锁存器和触发器捕获，在输出端由一个异或门比较锁存器和触发器捕获的信号，继而判断是否出现了老化。 LA 第9页/共23页 11 软错误 高能粒子效应 在宇宙辐射环境中，存在着大量的包括电子、质子、光子、a粒子和重离子在内的高