技术磁化理论.pptxVIP

会计学; 磁化过程：磁体在外场作用下，从磁中性状态到饱和状态的过程。 技术磁化：在缓慢变化或低频交变磁场中进行磁化。（所考虑的是磁化已经达到稳定状态的问题） 获得磁中性状态的方法： 交流退磁：无直流磁场，对磁体施加一定强度的交变磁场，并将其振幅逐渐减小到零。 热致退磁：将磁体加热到Tc 以上，然后在无H时冷却下来。;第一节 磁化过程概述;3、陡峭区 中场H范围。M变化很快。 是不可逆磁化过程，发生巴克豪森跳跃的急剧变化，其χ 与 μ 均很大且达到最大值——又称最大磁导率区。 4、趋近饱和磁化区 强H，M变化缓慢，逐渐趋于技术磁化饱和。符合趋于饱和定律：;二、磁化过程的磁化机制;1、磁化过程大致可以分为四个阶段： (1)、可逆磁化阶段： 若H退回到零，其M也趋于零。同时存在： a、畴壁位移（金属软磁材料和 μ 较高的铁氧体中以此 为主）。 b、磁畴磁矩转动（在 μ 不高的铁氧体中以此为主）。 (2)、不可逆磁化阶段 主要指不可逆壁移 (3)、磁畴磁矩的转动 此时样品内壁移已基本完毕，要使M增加，只有靠磁畴磁矩的转动来实现。 一般情况下，可逆与不可逆畴转同时发生与这个阶段。 (4)、趋近饱和阶段 ΔM很小，M的增加都是由于磁畴磁矩的可逆转动造成的;H;第二节 可逆壁移磁化过程;1、壁移磁化的动力 设单位面积的1800壁，在位移作用下位移Δx 。;2、壁移的阻力 壁移过程中，由铁磁体的内部能量发生变化，将对壁移产生阻力。 阻力来源于铁磁体内的不均匀性。 ① 内应力起伏的分布：;二、应力阻碍畴壁运动的壁移磁化（应力理论） 当铁磁体内存在不均匀性的内应力时，壁移时将会在磁体内引起磁弹性能与畴壁能变化。;即：壁移磁化处于稳定状态时，动力＝阻力。;1、1800壁移磁化方程 Fσ 对1800壁移不构成阻力，阻力主要来自于应力起伏引起的畴壁能密度改变。;三、含杂理论 杂质的作用： 杂质的穿孔作用：畴壁位移经过杂质处时，畴壁面积变化引起畴壁能的变化，从而对壁移形成阻力。 退磁场作???：壁移时，杂质周围退磁场能发生变化，会形成对壁移的阻力。; 实际材料中，若杂质尺寸很小且Ms低，则杂质对壁移形成的阻力作用主要为穿孔作用引起的畴壁能变化，故可略去退磁场作用。;第三节 可逆畴壁位移的起始磁化率;而单位面积畴壁移动x时，H方向磁化强度增加为：;∴磁化过程中产生的磁化强度为：;∴由H →0和 Δ H→0?相当于磁中性状态? γ ω=极小值。;第19页/共100页;⑵、求S// 设畴宽D=l，?单位体积内有1/l个畴与畴壁，? S//=(1×1) ×1/l= 1/l ∵ σ(x)的每个极小值处并不都有180o壁;2、90o壁移（采用相同处理）;第22页/共100页;二、含杂理论决定的χi 计算过程：先写出含杂理论的χi 表达式，再假设一个具体的杂质分布模型来计算。;现在考虑求畴壁面积S//： 设杂质分布为简单立方点阵，点阵常数为a，杂质为直径为d的球粒。则H=0时，畴壁总面积最小，在杂质中心处;Ew最小。H ≠0时，畴壁离开中心处，总面积增加，Ew增加。若杂质点阵中一个单胞内壁移x，被杂质穿孔后的畴壁面积为：;对于180o壁，由于并非所有杂质处都有畴壁。;第27页/共100页;第28页/共100页;可见： 材料内部存在杂质、气泡或内应力，均会影响到畴壁 能的大小变化，导致对壁移产生阻力。 由于铁氧体中的不均匀变化比金属磁性材料严重，故铁氧体的μi 一般较金属材料低。 在壁移磁化中要获得高的χi（或μi ），需满足 1、材料饱和磁化强度Ms 高。 2、K1、 λ s 要小。 3、材料结构完整、均匀且晶格形变小（内应力要低）。 4、材料含杂少。 ;第四节 可逆磁畴转动磁化过程;第31页/共100页; 若畴转磁化过程中，除Fk外，还有Fσ 、Fd 也形成阻力，则： F=FH+Fk+Fσ+Fd 同样由：?F/?φ=0 ?畴转过程中平衡方程的一般形式：;弱场下发生畴转磁化的情形： 对于高 μ 铁氧体，以壁移为主，但也可能发生畴转。 低 μ 铁氧体（空隙、杂质多，对壁移阻力大），以畴转为主。 单畴颗粒材料：只有畴转（单畴颗粒的永磁体） 受强应力的材料：畴壁因强 σ 的