陶瓷晶界和各类固体分界面.pptxVIP

会计学;（2）陶瓷中杂质含量明显高于金属和元素半导体，如Si的纯度可达99．9999999％以上，而目前很多陶瓷材料的纯度为96％左右，一般所谓的超纯陶瓷粉体，其纯度也仅为99—99.9％.; (3)陶瓷中的少量添加剂(掺杂)对晶粒尺寸与晶界的性质会起到决定性的作用。 S.Lartigue和Priester在99．96％纯度的氧化铝中掺入500ppm(重量比)的MgO在1500℃热压烧结，发现掺杂与不掺杂的氧化铝陶瓷的三叉点晶界均有高介电常数的片状P相偏析物，但它们的晶粒大小和晶界性质有明显区别，掺Mg的氧化铝陶瓷晶粒尺寸为0.5-1um。 有小的晶粒间空洞，有一定数量的位错线。纯氧化铝陶瓷的晶粒尺寸为10一50um，还有一些异常长大的晶粒，这些晶粒在垂直受压方向上出现较多。; S.Lartigue将陶瓷的晶界分为“特殊”晶界(special GB)和—般晶界（general GB)二种类型。 “特殊”晶界属于重合晶界：小角度晶界、重合位置点阵(CSL)晶界、重合转轴方向(CAD)晶界等，这些都是低能晶界。 一般晶界属于接近重合晶界：由失配位错等组成，它的晶界能略大于“特殊”晶界。 由扫描电镜分析，掺Mg的氧化铝中的晶界有一半以上是“特