《基于C51+Proteus仿真单片机》教学课件—11单片机应用设计.pptxVIP

第11章 单片机应用设计;11.1基于DS18B20设计数字温度计（1—Wire总线）;引脚说明;DS18B20数据输出格式及温度计算DS18B20读出的温度结果为2字节，读数以16位，符号扩展的二进制补码读数形式提供。所以需要把补码转换为原码，才能计算出真实的温度值。这2个字节的数据格式如图11-2所示。;高8位前5位为符号位，表示温度是零上还是零下。高8位后三位和低8位中的高四位构成温度的整数部分。低2位的后四位为温度的小数部分。 正温度原码就是补码的本身，在12位分辨率的情况下： 温度值 = 读取值 x 0.0625 负温度原码是补码减一取反。在12位分辨率的情况下。 温度值 = -（读取值减一再取反）x 0.0625 ;注意：DS18B20上电复位时的温度值固定为+85℃.;DS18B20相关操作指令集合;软件设计;DS18B20初始化程序如下。 /******************************************************** *函数名 ：Ds18b20Init *函数功能 ：DS18B20初始化 *输入 ：无 *输出 ：初始化成功，返回1；初始化失败，返回0 ********************************************************/ bit Ds18b20Init(void){ bit flag; DQ = 1; //先将总线拉高，保持主从同步 for(time = 0 ; time 2;time++); // 短暂延时保持稳定 DQ = 0; //拉低总线 for(time = 0 ; time 200;time++);//总线低电平保持时间为480~960us DQ = 1; //释放总线 for(time = 0 ; time 10;time++);//释放总线后让DS18B20等待15~60us flag=DQ; for(time = 0 ; time 100;time++); DQ=1; return flag; //初始化标志位 0：初始化成功 1：初始化失败 } ;向DS18B20写入1字节数据 如图11-6向DS18B20写时序图，从时序图我们可以看出写周期时间范围为60~120us。进行写操作时先把总线电平拉低，表示写周期开始，写操作一共分为两种，一种写“0”操作，另一种写“1”操作。DS18B20的采样周期为15~45us。 写“0”操作：先将总线置为低电平保持15us，并在随后的45us时间段内DS18B20开始对总线电平进行采样，45us过后采样结束，写周期结束后释放总线。 写“1”操作：先将总线置为低点平保持至少1us，随后恢复总线置为高电平，15us过后DS18B20在45us时间段内开始对总线进行采样，写周期结束后释放总线。 ;DS18B20向DS18B20写入1字节数据程序如下。 /******************************************************** *函数功能 ：向DS18B20写入1字节 *输入 ：data void Ds18b20WriteByte( unsigned char data) { unsigned char i; DQ = 1; //先将总线拉高，保持主从同步 for(time = 0 ; time 2；time++); // 短暂延时保持稳定 for( i = 0; i 8 ; i++ ) { DQ = 0; //总线置为低电平 _nop_(); //低电平保持至少1us DQ = data 0x01 ; //开始写入第一位数据，从低位开始 for(time = 0 ; time 20；time++); //DS18B20采样时间不能少于45us DQ = 1; //释放总线 for(time = 0 ; time 1；time++); data=1; //数据右移一位，最高位补零 } for(time = 0 ; time 1；time++); } ;从DS18B20读出1字节数据 如图11-7从DS18B20读时序图。读周期期开始时，主机就要把总线电平拉低1us或2us，随后就得释放总线，在15us时范围内DS18B20把一位数据传送到总线上，因此主机必须在2~15us范围内对总线进行采样，15us后采样结束，直到读周期结束，释放总线，开始下一位数据传输。 ;从DS18B20读出1字节数据程序如下。 unsigned char Ds18b20ReadByte( void) { unsigned char i,data; DQ = 1; //先将总线拉高，