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几种特殊的可控硅及应用 快速可控硅 普通可控硅不能在较高的频率下工作。因为器件的导通或关断需要一定时间，同时阳极电压上升速度 太快时，会使元件 误导通；阳极电流上升速度太快时，会烧毁元件。人们在制造工艺和结构上采取了一些 改进措施，做出了能适应于高频应用 的可控硅，我们将它称为快速可控硅。它具有以下几个特点。 一、关断时间（ toff ）短 导通的可控硅， 当切断正向电流时。 并不能马上 “关断”，这时如立即加上正向电压， 它还会继续导通。 从切断 正向电流直到控制极恢复控制能力需要的时间，叫做关断时间。用 t0 仟表示。 可控硅的关断过程，实际上是储存载流子的消失过程。为了加速这种消失过程，制造快速可控硅时采 用了掺金工艺，把 金掺到硅中减少基区少数载流子的寿命。硅中掺金量越多， t0 仟越小，但掺金量过多会 影响元件的其它性能。 二、导通速度快．能耐较高的电流上升率（ dI ／dt ） 控制极触发导通的可控硅。总是在靠近控制极的阴极区域首先导通，然后逐渐向外扩展，直到整个面 积导通。大面积的 可控硅需要 50 100微秒以上才能全面积导通。初始导通面积小时，必须限制初始电 流的