绝缘栅场效应三极管工作原理.pptxVIP

会计学;一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的 绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为 衬底，用符号B表示。; 当栅极加有电压时，若 0＜VGS＜VGS(th)时，通过栅极和 衬底间的电容作用，将靠近栅极 下方的P型半导体中的空穴向下 方排斥，出现了一薄层负离子的 耗尽层。耗尽层中的少子将向表 层运动，但数量有限，不足以形 成沟道，将漏极和源极沟通，所以不可能以形成漏极电流ID。 ; VGS对漏极电流的控制关系可用 ID=f(VGS)?VDS=const 这一曲线描述，称为转移特性曲线，见图02.14。; 图02.14 VGS对漏极电流的控制特性——转移特性曲线 ; 2．漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用;;; (2)N沟道耗尽型MOSFET; (a) 结构示意图 (b) 转移特性曲线 图02.17 N沟道耗尽型MOSFET的结构 和转移特性曲线 ; P沟道增强型MOSFET的