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功率器件项目可研报告【模板范文】.docx

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    泓域咨询/功率器件项目可研报告 报告说明 IGBT全称为绝缘栅极晶体管，可以被认为是MOSFET和BJT（双极型三极管）组成的混合型器件，具有MOSFET的高输入阻抗，同时兼具晶闸管等双极型器件的低导通压降，以及具有相对合适的工作频率。从应用场景来划分，开关频率大于20kHz的应用场景主要采用MOSFET，电压等级大于1200V以上的高压场景主要采用IGBT，在介于两者之间的场景，主要根据应用的需求采用MOSFET或IGBT的解决方案。 根据谨慎财务估算，项目总投资20628.12万元，其中：建设投资16485.06万元，占项目总投资的79.92%；建设期利息413.65万元，占项目总投资的

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