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单晶硅生产制备方法大全 单晶硅晶片及单晶硅的制造方法 本发明的单晶硅晶片及单晶硅的制造方法，是属于切克劳斯基法 (CZ 法)生长单 晶硅晶片，其特征为：对全部晶片进行热氧化处理时，在环状发生 OSF 的外侧的 N 区域，不存在通过 Cu 淀积所检测出的缺陷区域。由此，可以利用确实能提高 氧化膜耐压等电气特性的 CZ 法，在稳定的制造条件下，制造既不属于富含空孔 的V 区域、OSF 区域，也不属于富含晶格间隙硅的 I 区域的硅单晶晶片。 绝缘体上的单晶硅(SOI)材料的制造方法 本发明公开了一种采用 SIMOX 技术制造 SOI 材料