高脉冲功率密度复合磁控溅射电源研制及放电特性分析.docxVIP

高脉冲功率密度复合磁控溅射电源研制及放电特性分析 高功率脉冲磁控溅射技术（HPPMS）由于能够产生较高的离化率而受到人们的重视。为了提高离化率/ 沉积速率协同效应，基于直流和脉冲耦合叠加技术我们研制了高功率密度复合脉冲磁控溅射电源，并对高功率复合脉冲磁控溅射放电特性开展研究。结果说明脉冲峰值电流随脉冲电压的增加而增加，但随着脉冲宽度的增加而减小。在高功率脉冲期间工件上获得的电流可以增加一个数量级以上，说明磁控离化率得到显著增强。  磁控溅射技术广泛应用于薄膜制备领域，但传统的磁控溅射处理技术溅射金属大多以原子状态存在，可控性较差，沉积薄膜的质量和性能较难优化，近年来国外发展了高功率脉冲磁控溅射技术，它的峰值功率可以比普通磁控溅射高2 个数量级；金属离子离化率可达70%以上；反应磁控溅射金属靶面不容易中毒；离化粒子获得的能量高，这些效应对于控制膜层质量、优化膜层构造是非常有利的，另外高功率脉冲磁控溅射的瞬时功率虽然很高，但其平均功率与普通磁控溅射相当，这样就不会增加对磁控靶冷却的要求。因此高功率脉冲磁控溅射技术已成为磁控溅射研究领域的前沿和热点。  然而高功率脉冲磁控溅射需要较高的激励电压，靶表面高的负电压使得离化的离子可能被靶自身吸回，因而薄膜沉积效率不高。将直流溅射和脉冲磁控溅射耦合起来应该是一种有效的解决方法，一方面直流磁控溅射可获得高沉积速率，并对高功