电子技术基础二极管及其基本电路.pptxVIP

会计学 1 电子技术基础二极管及其基本电路 2 教学要求： 本章需要重点掌握二极管模型及其电 路分析，特别要注意器件模型的使用范围 和条件。对于半导体器件，主要着眼于在 电路中的使用，关于器件内部的物理过程 只要求有一定的了解。 第1页/共60页 3 2.1 半导体的基本知识 2.1.1 半导体材料 2.1.2 半导体的共价键结构 2.1.3 本征半导体 2.1.4 杂质半导体 半导体:导电特性介于导体和绝缘体之间 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 导电的 重要特点 1、其能力容易受环境因素影响 （温度、光照等） 2、掺杂可以显著提高导电能力 第2页/共60页 4 2.1.2 半导体的共价键结构 原子结构 简化模型 — 完全纯净、结构完整的半导体晶体。 2.1.3 本征半导体 在T=0K和无外界激发时，没有载流子，不导电 两个价电子的 共价键 正离子核 第3页/共60页 5 2.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用 温度 光照 自由电子 空穴 本征激发 空穴 ——共价键中的空位 空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。 由热激发或光照而产生 自由电子和空穴对。 温度  载流子浓度 ＋ 第4页/共60页 6 *半导体导电特点1：其能力容易受温度、光照等环境因素影响 温度↑→载流子浓度↑→导电能力↑ 第5页/共60页 2.1.4 杂质半导体 N型半导体 掺入五价杂质元素（如磷） P型半导体 掺入三价杂质元素（如硼） 自由电子 ＝ 多子 空穴 ＝ 少子 空穴 ＝ 多子 自由电子 ＝ 少子 第6页/共60页 8 掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大 的影响，一些典型的数据如下: 以上三个浓度基本上依次相差106/cm3 。 杂质对半导体导电性的影响 第7页/共60页 9 本征半导体、本征激发 本节中的有关概念 自由电子 空穴 N型半导体、施主杂质(5价) P型半导体、受主杂质(3价) 多数载流子、少数载流子 杂质半导体 复合 *半导体导电特点1： 其能力容易受温度、光照等环境因素影响 温度↑→载流子浓度↑→导电能力↑ *半导体导电特点2：掺杂可以显著提高导电能力 第8页/共60页 10 2.2 PN结的形成及特性 2.2.1 PN结的形成 2.2.2 PN结的单向导电性 * 2.2.3 PN结的反向击穿 2.2.4 PN结的电容效应 第9页/共60页 11 2.2.1 PN结的形成 1. 浓度差多子的扩散运动 2. 扩散空间电荷区内电场 3. 内电场少子的漂移运动 阻止多子的扩散 4、扩散与漂移达到动态平衡 载流子的运动： 扩散运动——浓度差产生的载流子移动 漂移运动——在电场作用下，载流子的移动 P区 N区 形成过程可分成4步 (动画) 第10页/共60页 12 PN结形成的物理过程： 因浓度差  空间电荷区形成内电场  内电场促使少子漂移  内电场阻止多子扩散 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。 多子的扩散运动 杂质离子形成空间电荷区  对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。 在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。 第11页/共60页 13 2.2.2 PN结的单向导电性 只有在外加电压时才… 扩散与漂移的动态平衡将… 定义： 加正向电压，简称正偏 加反向电压，简称反偏 扩散 漂移 大的正向扩散电流（多子） 低电阻  正向导通 漂移 扩散 很小的反向漂移电流（少子） 高电阻  反向截止 第12页/共60页 14 2.2.2 PN结的单向导电性  PN结特性描述 2、PN结方程 陡峭电阻小正向导通 1、PN结的伏安特性 特性平坦反向截止 一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的 非线性 其中 IS ——反向饱和电流 VT ——温度的电压当量 且在常温下（T=300K） 近似 估算 第13页/共60页 15 2.2.3 PN结的反向击穿 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。 热击穿——不可逆