30v耐压n沟道mos管SVG031R1NL5规格书_骊微电子.pdfVIP

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2022-06-22 发布于广东
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士兰微电子 SVG031R1NL5 说明书 229A、30V N沟道增强型场效应管描述 SVG031R1NL5 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰 S 1 8 D 的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低 S 2 7 D 的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 S 3 6 D 该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。 G 4 5 D 特点 5 6 7  229A ，30V ，R =0.8m@V =10V DS(on) （典型值） GS 8  低栅极电荷 8 7 4  低反向传输电容 6 2 3 5 1  开关速度快 1  提升了dv/dt 能力 2 3  100%雪崩测试 4  无铅管脚镀层 PDFN-8-5X6X0.95-1.27  符合RoHS 环保标准关键特性参数参数参数值单位 VDS 30 V VGS(th) 1.3~2.3 V RDS(on),max 1.1 m ID 229 A Qg.typ 40 nC 产品规格分类产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式 SVG031R1NL5TR PDFN-8-5X6X0.95-1.27 031R1NL5 无卤编带杭州士兰微电子股份有限公司