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磁控溅射法制备掺铝氧化薄膜
摘 要
氧化锌(ZnO)是具有六方纤锌矿晶体结构的宽带隙II-VI半导体材料。受到了学术界的重视。由于其在各个方面的优异性能，在太阳能电池中，紫外检测器，表面声波器件，传感器，透明电极等已经有非常广泛的应用。近年来，与铟锡氧化物半导体透明导电膜(ITO薄膜)相比，AL掺杂的ZnO薄膜由于电导率高、光学透过率高，原料储量丰富、成本低廉而成为最具有潜力的透明导电薄膜。
论文采用了直流反应磁控溅射法制作Al掺杂的ZnO薄膜，其中用Zn(99.99%)掺Al(1.5%)靶制备出了高质量的Al掺杂的ZnO薄膜。研究了溅射压强对晶体结构、微观结构、电学和光学性能的影响。结果表
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