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PAGE 1 PAGE 1 分析电接枝技术助力高深宽比TSV方案 随着科学技术快速的进展，电接枝技术在各个当中应用。3D-IC设计者盼望制作出高深宽比（HARgt;10:1）硅通孔（TSV），从而设计出更小尺寸的通孔，以减小TSV通孔群在硅片上的占用空间，终改进信号的完整性。事实上，当前传统的TSV生产供应链已落后于ITRS对其的猜测。样做的结果要么影响产品的性能，要么使工艺占有成本高得无法接受。 当前，采纳一种纳米技术解决方案可实现HARgt;20:1的结构，而成本只占传统工艺的一部分。纳米技术（nanotechnology）是用单个原子、分子制造物质的科学技术。纳米科学技术是以很多现代先进科学技术为基础的科学技术，它是现代科学（混沌物理、量子力学、介观物理、分子生物学）和现代技术（计算机技术、微电子和扫描隧道显微镜技术、核分析技术）结合的产物，纳米科学技术又将引发一系列新的科学技术，这种膜比较薄，具有连续性和粘着性，且非常匀称。这项湿法工艺使用标准电镀工具，具有极高的成本效益。  TSV对3D-IC设计的影响  虽然把TSV融入主流半导体工艺还需要解决一些技术难题，但讨论TSV对3D-IC设计流程的影响却非常必要。总的来说，TSV技术革新受到性能和功能进步等设计要求的带动，相反，多芯片模块（MCM）解决方案受到技术进步的推动，却始终不被主流技