新能源转换与控制技术.pptx

新能源转换与控制技术 江南大学 惠 晶主编; ;2.1 电力电子器件及应用 2.2 AC-DC变换电路 2.3 DC-DC变换电路 2.4 DC-AC变换电路 2.5 AC-AC变换电路 2.6 多级复合形式变换电路 2.7 半导体功率器件驱动与保护电路;;2.1.1电力电子器件概念和特征 ◆电力技术（电力设备、电力网络） ◆ 电子技术（电子器件、电子电路） ◆ 控制技术（连续、离散） ;1974年美国学者W.Newell用于表征电力电子技术倒三角;2.1.2电力电子器件分类;电力电子及其特征;电力电子器件分类;（2）半控型器件：能够经过控制极（门极）控制器件导通，但不能控制其关断电力电子器件。晶闸管(Thyristor)及其大部分配生器件(除GTO及MCT—MOSFET控制晶闸管等复合器件外)，器件关断普通依靠其在电路中承受反向电压或减小通态电流使其恢复阻断。;（3）全控型器件：既能够经过器件控制极（门极）控制其导通，又可控制其关断器件。主要有：功率晶体管（GTR）、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、门极可关断晶闸管（GTO）和电力场效应晶体管(P-MOS)等。;2、按驱动信号类型分类 (1) 电流驱动型：经过对控制极注入或抽出电流，实现其开通或关断电力电子器件称为电流驱动型器件，如Thyrister，GTR，GTO等。 (2) 电压驱动型：经过对控制极和另一主电极之间施加控制电压信号，实现其开通或关断电力电子器件称为电压驱动型器件，如P－MOSFET，IGBT等。 ;几个经典电力电子器件?;1、不可控器件――电力二极管 （1）电力二极管基本特征：电力二极管（Power Diode）承受反向电压耐力与阳极通流能力均比普通二极管大得多，但它工作原理和伏安（V－A）特征与普通二极管基本相同，都含有正向导电性和反向阻断性。电力二极管电路符号和静态特征（即伏安特征）以下列图所表示。;（2）电力二极管主要参数 正向平均电流IF(AV) ：电力二极管在连续运行条件时，器件在额定结温和要求散热条件下，允许流过最大工频正弦半波电流平均值。 反向重复峰值电压URRM ：指对电力二极管所能重复施加反向最高峰值电压，通常是雪崩击穿电压URBO2/3。;正向通态压降UF ：在额定结温下，电力二极管在导通状态流过某一稳态正向电流（IF）所对应正向压降。正向压降越低，表明其导通损耗越小。 　 反向恢复电流IRP及反向恢复时间trr ：反向恢复时间trr通常定义为从电流下降为零至反向电流衰减至反向恢复电流峰值25％时间。反向恢复电流IRP及恢复时间trr与正向导通时正向电流IF及电流下降率diF/dt亲密相关。 反向恢复过程：受二极管PN结中空间电荷区存放电荷影响，向正向导通二极管施加反向电压时，二极管不能马上转为截止状态，只有存放电荷完全复合后，二极管才展现高阻状态。;2、半控型器件――晶闸管 ;（1）基本特征： 电流触发特征：当晶闸管A－K极间承受正向电压时，假如G－K极间流过正向触发电流，就会使晶闸管导通。 单向导电特征：当承受反向电压时，此时不论门极有没有触发电流，晶闸管都不会导通。 半控型特征：晶闸管一旦导通，门极就失去作用；此时，不论门极电流是否存在、触发电流极性怎样，晶闸管都维持导通。要使导通晶闸管恢复关断，可对其A－K极间施加反向电压或使其流过电流小于维持电流（IH）。;（2）主要参数 额定电压UT：晶闸管在额定结温、门极开路时，允许重复施加正、反向断态重复峰值电压UDRM和URRM中较小一个电压值称为晶闸管额定电压UT。 正、反向断态重复峰值电压UDRM、URRM：晶闸管门极开路(Ig=0)、器件在额定结温时，允许重复加在器件上正、反向峰值电压。普通分别取正、反向断态不重复峰值电压（UDSM、URSM） 90%。正向断态不重复峰值电压应小于转折电压（Ubo）。 通态平均电流IT(AV)：在环境温度为40℃和要求散热条件下、稳定结温不超出额定结温时，晶闸管允许流过最大工频正弦半波电流平均值。这也是额定电流参数。 维持电流IH：维持晶闸管导通所必需最小电流，普通为几十到几百mA。;3、电力场效应晶体管――电力MOSFET （1）基本特征 ;a)转移特征 b)输出特征 图2-4 电力MOSFET转移特征和输出特征;（2）主要参数 漏极电压UDS 漏极直流电流额定值ID和漏极脉冲电流峰值IDM 漏源通态电阻RDS(on)：在栅源间施加一定电压（10～15V），漏源间导通电阻。 栅源电压UGS：栅源之间绝缘层很薄，当|UGS|20V时将造成绝缘层击穿。 极间电容：MOSFET3个电极之间分别存在极间电容CGS、CG