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.国产半导体器件的命名方法 二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 — 74 规定,由五部分组成 第一部分:用数字表示器件电极的数目。 第二部分:用汉语拼音字母表示器件材料和极性。 第三部分:用汉语拼音字母表示器件的类型。 第四部分:用数字表示器件序号。 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号。如表 5 . 1 所示
国产半导体器件的命名方法
第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分符号意义字母 意义 字母 意义 字母意义意义意义N 型,锗材料普通低频小功率反映二极二极管P 型,锗材料稳压管(fa<3MHz ,Pc<1W)反映二管、三极管承三极管N 型,硅材料P 型,硅材料PNP 型,材料NPN 型,材料整流管整流堆阻尼管开关管
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
第五部分
符号
意义
字母 意义 字母 意义 字母
意义
意义
意义
N 型,锗材料
普通
低频小功率
反映二极
二极管
P 型,锗材
料
稳压管
(fa<3MHz ,
Pc<1W)
反映二
管、三极管承
三极管
N 型,硅材
料
P 型,硅材
料
PNP 型,
材料
NPN 型,
材料
整流管
整流堆
阻尼管
开关管
受反向击穿电
高频小功率
(fa>3MHz ,
Pc<1W)
低频大功率
(fa<3MHz ,
Pc>1W)
极管、
极管参数
的差别
压的高低。如
A 、 B 、 C 、
D…其
中 A 承受的反
向击穿电压最
PNP型,硅
材料
F
发光 管
A
高频大功率
NPN型,硅
材料
S
隧道 管
(fa>3MHz ,
Pc>1W)
化合物材 料
U
光电 管
T
可控硅
CS
场效应管
BT
特殊器件
低, B 稍高
C
D
E
.日本半导体器件的命名方法
日本半导体器件命名型号由五部分组成。
第一部分: 用数字表示半导体器件有效数目和类型。 1 表示二极管, 2 表示三
极管。
第二部分:用 S 表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件 第三部分:用字母表示该器件使用材料、极性和类型。
第四部分:表示该器件在日本电子工业协会的登记号。
第五部分:表示同一型号的改进型产品。具体符号意义如表 5 ? 2所示
日本半导体器件的命名
第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
第五部分
序号 意义符号意义序戶序号意义序戶序号意义序戶序号意义光电二O 极管 或 三极管已在日本电子工业协会注 册PNP 高频晶体管NP
序号 意义
符号
意义
序戶序号
意义
序戶序号
意义
序戶序号
意义
光电二
O 极管 或 三极管
已在日本电子工业协会注 册
PNP 高频晶
体管
NP 低频晶体管
该器件在
位日 字
本电子工
该器件为原
型号产品的改
1 二极管三极管或有三2
1 二极管
三极管
或有三
2 个电极 的其他
器件
登记的
C
NPN高频晶
半导体
体管
器件
D
NPN低频晶
体管
E
P 控制极可
控硅
G
N 控制极可
控硅
H
N 基极单结
晶管
J
P 沟道场效
应管
业协会的
注册登记
进产品
四个电3 极的器
四个电
3 极的器
件 M 双向可控硅
.美国半导体器件的命名方法 美国电子工业协会半导体分立器件命名型号由五部分组成。 第一部分为前缀。
第二部分、第三部分、第四部分为型号基本部分。 第五部分为后缀。这五部分符号及意义如表 5 . 3 所示
表 5 . 3 美国半导体器件的命名
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
第五部分
用符号表示器
用数字表示PN美国电子工业协
美国电子工业协
用字母表示
件的类别
结数目
会注册标志
会登记号
器分挡
序号 意义
骨口. 序号
意义
序号 意义
序号
意义
骨口. 序号
意义
该器件在
A
该器件是在
美国
同一型
美 国电子工
多位
B
JANJ 或 军用品
1
二极管
N 业协会注册
\—」
电子工业
号器件
厶厶
J
登记的半导
数字
协的
C
的
体器件
注册登记 D
.—箏五部分:規怙
第四部分.产品序号 电&帀播网—第三部分I三扱管的类型 —第二部分;材料及极性
—第一部分:电极的数目
半导体三极管型号组成部分的符号及其意义如下。
第一部分:用"3"表示为三极管“
第二部分:用汉语拼音宇母表示器件的材料及极性,如表一所示。
表一半导体三极管使用材料和极性的符号及意义
符 号
村料
? 性
* 崔
A
FWPS1
褐三機育
H
NPN瘵
错三機骨
G
桂三根管
D
NFC曲ft甘
fit三极管
E
第三部分:三极管的类型,用汉语拼音字母表示,见表二
表二半导体三极管类型符号及意义
符 号
ft X
备注
X
烁極小功华皿悴骨
PCK< LW
G
応爆小功羸搐体管
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