晶体管的命名方法.docx

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.国产半导体器件的命名方法 二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 — 74 规定,由五部分组成 第一部分:用数字表示器件电极的数目。 第二部分:用汉语拼音字母表示器件材料和极性。 第三部分:用汉语拼音字母表示器件的类型。 第四部分:用数字表示器件序号。 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号。如表 5 . 1 所示 国产半导体器件的命名方法 第一部分第二部分第三部分第四部 分第五部分符号意义字母 意义 字母 意义 字母意义意义意义N 型,锗材 料普通低频小功率反映二极二极 管P 型,锗材料稳压 管(fa<3MHz ,Pc<1W)反映二管、三极管承三极 管N 型,硅材料P 型,硅材料PNP 型,材料NPN 型,材料整流 管整流 堆阻尼 管开关 管 第一部分 第二部分 第三部分 第四部 分 第五部分 符号 意义 字母 意义 字母 意义 字母 意义 意义 意义 N 型,锗材 料 普通 低频小功率 反映二极 二极 管 P 型,锗材 料 稳压 管 (fa<3MHz , Pc<1W) 反映二 管、三极管承 三极 管 N 型,硅材 料 P 型,硅材 料 PNP 型, 材料 NPN 型, 材料 整流 管 整流 堆 阻尼 管 开关 管 受反向击穿电 高频小功率 (fa>3MHz , Pc<1W) 低频大功率 (fa<3MHz , Pc>1W) 极管、 极管参 数 的差别 压的高低。如 A 、 B 、 C 、 D…其 中 A 承受的 反 向击穿电压最 PNP型,硅 材料 F 发光 管 A 高频大功率 NPN型,硅 材料 S 隧道 管 (fa>3MHz , Pc>1W) 化合物材 料 U 光电 管 T 可控硅 CS 场效应管 BT 特殊器件 低, B 稍高 C D E .日本半导体器件的命名方法 日本半导体器件命名型号由五部分组成。 第一部分: 用数字表示半导体器件有效数目和类型。 1 表示二极管, 2 表示三 极管。 第二部分:用 S 表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件 第三部分:用字母表示该器件使用材料、极性和类型。 第四部分:表示该器件在日本电子工业协会的登记号。 第五部分:表示同一型号的改进型产品。具体符号意义如表 5 ? 2所示 日本半导体器件的命名 第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 序号 意义符号意义序戶 序号意义序戶 序号意义序戶 序号意义光电二O 极管 或 三极管已在日 本电子 工业协 会注 册PNP 高频晶体管NP 序号 意义 符号 意义 序戶 序号 意义 序戶 序号 意义 序戶 序号 意义 光电二 O 极管 或 三极管 已在日 本电子 工业协 会注 册 PNP 高频晶 体管 NP 低频晶体 管 该器件在 位日 字 本电子工 该器件为原 型号产品的 改 1 二极管三极管或有三2 1 二极管 三极管 或有三 2 个电极 的其他 器件 登记的 C NPN高频晶 半导体 体管 器件 D NPN低频晶 体管 E P 控制极可 控硅 G N 控制极可 控硅 H N 基极单结 晶管 J P 沟道场效 应管 业协会的 注册登记 进产品 四个电3 极的器 四个电 3 极的器 件 M 双向可控硅 .美国半导体器件的命名方法 美国电子工业协会半导体分立器件命名型号由五部分组成。 第一部分为前缀。 第二部分、第三部分、第四部分为型号基本部分。 第五部分为后缀。这五部分符号及意义如表 5 . 3 所示 表 5 . 3 美国半导体器件的命名 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用符号表示器 用数字表示PN美国电子工业协 美国电子工业协 用字母表示 件的类别 结数目 会注册标志 会登记号 器分挡 序号 意义 骨口. 序号 意义 序号 意义 序号 意义 骨口. 序号 意义 该器件在 A 该器件是在 美国 同一型 美 国电子工 多位 B JANJ 或 军用品 1 二极管 N 业协会注册 \—」 电子工业 号器件 厶厶 J 登记的半导 数字 协的 C 的 体器件 注册登记 D .—箏五部分:規怙 第四部分.产品序号 电&帀播网—第三部分I三扱管的类型 —第二部分;材料及极性 —第一部分:电极的数目 半导体三极管型号组成部分的符号及其意义如下。 第一部分:用"3"表示为三极管“ 第二部分:用汉语拼音宇母表示器件的材料及极性,如表一所示。 表一半导体三极管使用材料和极性的符号及意义 符 号 村料 ? 性 * 崔 A FWPS1 褐三機育 H NPN瘵 错三機骨 G 桂三根管 D NFC曲ft甘 fit三极管 E 第三部分:三极管的类型,用汉语拼音字母表示,见表二 表二半导体三极管类型符号及意义 符 号 ft X 备注 X 烁極小功华皿悴骨 PCK< LW G 応爆小功羸搐体管

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