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百色半导体设备项目可行性研究报告（模板）.docx

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    泓域咨询/百色半导体设备项目可行性研究报告 百色半导体设备项目 可行性研究报告 xx（集团）有限公司 报告说明 电感性等离子体刻蚀ICP：能量低、精度高，主要用于硅刻蚀和金属刻蚀（形成底层器件）——硅浅槽隔离（STI）、锗（Ge）、多晶硅栅结构、金属栅结构、应变硅（Strained-Si）、金属导线、金属焊垫（Pad）、镶嵌式刻蚀金属硬掩模和多重成像技术中的多道刻蚀工艺。 根据谨慎财务估算，项目总投资22059.77万元，其中：建设投资17989.78万元，占项目总投资的81.55%；建设期利息374.65万元，占项目总投资的1.70%；流动资金3695.34万元，占项目总投资的1

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