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保定关于成立刻蚀设备公司可行性报告【范文参考】.docx

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泓域咨询/保定关于成立刻蚀设备公司可行性报告 保定关于成立刻蚀设备公司 可行性报告 xx(集团)有限公司 报告说明 在先进的集成电路制造技术中用于刻蚀关键层最主要的刻蚀方法是单片处理的高密度等离子体刻蚀技术。根据产生等离子体方法的不同,等离子体刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀(CCP)、电感性等离子体刻蚀(ICP)、电子回旋加速震荡(ECR)和双等离子体源。 xx(集团)有限公司主要由xxx(集团)有限公司和xxx有限责任公司共同出资成立。其中:xxx(集团)有限公司出资952.50万元,占xx(集团)有限公司75%股份;xxx有限责任公司出资318万元,占xx(集团)有限公司25%

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