泓域咨询/广安机械设备项目可行性研究报告
报告说明
随着当前先进芯片关键尺寸的不断减小以及FinFET与3DD等三维结构的出现,不同尺寸的结构在刻蚀中的速率差异将影响刻蚀速率,对于高深宽比的图形窗口来说,化学刻蚀剂难以进入,反应生成物难以排出。另外,薄膜堆栈一般由多层材料组成,不同材料的刻蚀速率不同,很多刻蚀工艺都要求具有极高的选择比。第三个问题在于当达到期望深度之后,等离子体中的高能离子可能会导致硅片表面粗糙或底层材料损伤。
根据谨慎财务估算,项目总投资37852.14万元,其中:建设投资30802.71万元,占项目总投资的81.38%;建设期利息703.55万元,占项目总投资的1.86%;
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