化学气相沉积技术.pptxVIP

化学气相沉积技术会计学目录第1页/共15页CVD概述CVD法的主要特点CVD法制备薄膜的过程常见的CVD反应方式CVD反应物质源CVD装置的组成CVD装置的选择影响CVD沉积层质量的因素CVD的种类CVD的应用第2页/共15页CVD概述CVD(化学气相沉积法):化学气相沉积是在一定的真空度和温度下，将几种含有构成沉积膜层的材料元素的单质或化合物反应源的气体，通过化学反应而生成固态物质并沉积在基材上的成膜方法。CVD法的主要特点第3页/共15页与电镀相比，可以制成金属及非金属的各种各样材料的薄膜可以制成预定的多种成分的合金膜可以制成超硬，耐磨损，耐腐蚀的优质薄膜速度快附着性好在高温下沉积膜可以得到致密性和延展性方面优良的沉积膜射线损伤低装置简单，生产率高容易防止污染环境CVD法制备薄膜的过程 第4页/共15页反应气体的热解反应气体向表面基材扩散反应气体吸附于基材的表面在基材表面上发生化学反应在基材表面上产生的气体副产物脱离表面而扩散掉或被真空泵抽掉，在基材表面沉积出固体反应产物薄膜常见的CVD反应方式第5页/共15页热分解反应金属还原反应化学输送反应氧化或加水分解反应等离子体激发反应等反应金属有机物化学气相沉积CVD反应物质源第6页/共15页?气态物质源在室温下呈气体的物质如：,,,液态物质源在室温下呈液体的反应物质，分为两种：一种是必须加入另一种物质与它反应，生成气体送入沉积室，另