汉中HJT电池项目可行性研究报告.docx

泓域咨询/汉中HJT电池项目可行性研究报告  汉中HJT电池项目 可行性研究报告 xxx（集团）有限公司  报告说明 本征富氢非晶硅膜是HJT异质结电池的核心工艺。异质结电池中，单晶硅层和掺杂非单晶硅层中间处会嵌入一层钝化材料，高质量的钝化层会对异质界面缺陷钝化、减少载流子复合、增大开路电压。在各钝化材料中，本征富氢非晶硅薄膜为当前的最佳选择，由于H原子的存在，界面处形成的Si-H键能使界面态悬挂键得到有效的饱和，界面态密度降低，少子寿命提高，增大开路电压。同时，异质结界面两端具有较大的界面势垒，富氢非晶硅膜能提供缓冲作用，调节能带偏移，降低隙态密度，减少漏电流，提高电池的输出性能。 根