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MITSUBISHIELECTRICMGF0917A说明书用户手册用户手册产品说明书使用说明文档安装使用手册
High-power GaAs FET (small signal gain stage)
MGF0917A
L S BAND / 0.25W
SMD non - matched
DESCRIPTION
The MGF0917A GaAs FET with an N-channel schottky
Gate, is designed for use UHF band amplifiers.
FEATURES
High output power
Po=24dBm(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=4dBm
High power gain
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