电路基础与集成电子技术-电子教案与习题解答-蔡惟铮-7595 第4章小结.pptVIP

第4章 小 结;3. 将P型和N型半导体紧密结合在一起，在它们的交界面处，发生两种形式载流子的运动，即多子的扩散运动和少子的漂移运动，它们达到动态平衡时，形成稳定的空间电荷区，即PN结。PN结的最主要特性就是单向导电性。 4. 二极管的伏安特性曲线分为正向和反向两个区域，当正向电压小于开启电压时，流过二极管的电流近似为0；随后，UD稍有增加，电流ID迅速增加。在特性的反向区，反向电流等于反向饱和电流，但当反向电压达到击穿电压值时，二极管发生反向击穿。击穿后，电流在很大范??内变化时，反向击穿电压几乎不变，利用这一特性可以制成硅稳压管。;5. 二极管是非线性元件，在分析含二极管的电路时，常用某种模型代替，主要有开关模型、固定正向电压降模型、折线化模型和小信号模型。不同的应用场合应使用不同的模型。 6. 二极管的主要参数有：最大整流电流IF、反向击穿电压UBR、最大反向工作电压URM 、反向电流IR 和正向压降UF 等。;7. 场效应管为电压控制电流源器件(VCCS)。即用栅源电压来控制沟道宽度，改变漏极电流。场效应管为单极型器件，仅一种载流子(多子)导电，热稳定性好。场效应管有结型和绝缘栅型两种结构，每种又分为N沟道和P沟道两种。绝缘栅型场效应管（MOSFET）又分为增强型和耗尽型两种形式。 8. 场效应管的漏极特性曲线可分为可变电阻区、截止区和 恒流区，在放大电路中，应使其工作在恒流区。场效应 管的参数也分为直流参数（UGS(th)或 UGS(off)、IDSS）交流 参数（gm）和极限参数(IDM、PDM)三类。跨导gm反映了 场效应管的电压控制作用。; 双极型半导体晶体管（BJT）有两种载流子参与导电，属电流控制电流源器件（CCCS），BJT有NPN和PNP两种结构类型。其工艺特点为：基区极薄且掺杂浓度低，发射区掺杂浓度高，集电区掺杂浓度低。晶体管的输出特性曲线可以分为饱和、截止、放大三个区域。 10. 为保证晶体管工作在放大状态，应使其发射结正偏，集电结反偏。晶体管的参数主要分为直流参数、交流参数和极限参数三类。