第2章场效应管及其放大电路.pptVIP

复合管：（1）各管的电流方向不矛盾、工作在放大区 P123 （2）β=β1β2 （3）等效管子的类型与第一只管子的类型相同 第29页，共45页，编辑于2022年，星期五 P144 2.18 不能 不能 NPN 不能 不能 PNP NPN 第30页，共45页，编辑于2022年，星期五 2.7.1 场效应管的三种接法 共源放大电路——*** 共漏放大电路——*** 共栅放大电路 2.7 场效应管放大电路 第31页，共45页，编辑于2022年，星期五 2.7.2 场效应管放大电路的静态设置 场效应管偏置电路 与晶体管放大器相似，静态工作点的设置对放大器的性能至关重要。在场效应管放大器中，由于结型场效应管与耗尽型MOS场效应管uGS=0时，iD≠0，故可采用自偏压方式。而对于增强型MOSFET，则一定要采用分压式偏置或混合偏置方式。 我们可以用两种办法确定直流工作点，一种是图解法，另一种是解析法。 第32页，共45页，编辑于2022年，星期五 图 场效应管偏置方式 (a)自偏压方式； (b)分压式偏置方式 VDD=20V uo RS ui CS C2 C1 R1 RD RG R2 RL 150k 50k 1M 10k 10k g d s 10k 第33页，共45页，编辑于2022年，星期五 第2章场效应管及其放大电路 第1页，共45页，编辑于2022年，星期五 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 场效应管分类： Junction type Insulated gate type Depletion type enhancement 第2页，共45页，编辑于2022年，星期五 1、结型场效应管（JFET)结构 P+ P+ N G S D 导电沟道 源极，用S或s表示source N型导电沟道 漏极，用D或d表示drain 1.4.1 结型场效应管 栅极，用G或g表示gate 第3页，共45页，编辑于2022年，星期五 结型场效应管（JFET)符号 第4页，共45页，编辑于2022年，星期五 ① VGS对沟道的控制作用（VDS=0）——等宽 当VGS＜0时PN结反偏? 当沟道夹断时,ID减小至0，此时对应的栅源电压VGS称为夹断电压VGS(off)。 对于N沟道的JFET， VGS(off) 0。 耗尽层加厚? 沟道变窄? VGS继续减小，沟道继续变窄， ID继续变小。 D P+ P+ N G S VDS ID VGS 当VGS=0时，沟道最宽，沟道电阻最小。 沟道电阻变大? ID变小 根据其结构，它只能工作在反偏条件下，N沟道管加负栅源电压， P沟道管加正栅源电压。 2、结型场效应管（JFET)的工作原理 第5页，共45页，编辑于2022年，星期五 当VGS=C时，VDS? ? ID ? G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当VDS增加到使VGD= VGS(off)时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时VDS ? ? 夹断区延长? 沟道电阻? ? ID基本不变 D P+ P+ N G S VDS ID VGS ② VDS对沟道的控制作用 第6页，共45页，编辑于2022年，星期五 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。 JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此iG?0，输入电阻很高。 JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流的大小。 综上分析可知 第7页，共45页，编辑于2022年，星期五 (2)转移特性 transfer characteristics VP (1)输出特性output characteristics 3、结型场效应管（JFET)的特性曲线及参数 夹断区 variable resistance region pinch off region constant current region 第8页，共45页，编辑于2022年，星期五 结型场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 P49 图1.4.13_注意方向区别 第9页，共45页，编辑于2022年，星期五 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌