第1节晶体二极管.pptVIP

2. 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 (a)二极管理论伏安特性 C D o B A UBR uD iD （b）2CP10-20的伏安特性曲线 iD（mA） uD（V） 0 1 2 -100 -200 20 40 60 80 -20 -10 -30 （uA） 75℃ 20℃ （c）2AP15的伏安特性曲线 iD（mA） uD（V） 0 0.4 -40 -80 20 40 80 -0.2 -0.1 -0.3 60 0.8 IS ：反向饱和电流 UT ：温度的电压当量 在常温(300 K)下， UT ? 26 mV 第30页，共52页，编辑于2022年，星期五 ① 正向特性 死区电压：硅管 0.5V 锗管 0.1V 线性区：硅管 0.6V～1V 锗管 0.2V～0.5V 对温度变化敏感： 温度升高→正向特性曲线左移 温度每升高1℃→正向压降 减小约2mV。 (a)二极管理论伏安特性 正向特性 C D o B A UBR uD iD 第31页，共52页，编辑于2022年，星期五 ② 反向特性 反向电流：很小。 硅管 0.1微安 锗管 几十个微安 受温度影响大： 温度每升高10℃→ 反向电流增加约1倍。 ③ 反向击穿特性 反向击穿UBR:几十伏以上。 (a)二极管理论伏安特性 反向击穿特性 C D o B A UBR uD iD 反向特性 第32页，共52页，编辑于2022年，星期五 3. 二极管的主要参数 最大整流电流IF 最大反向工作电压UR 反向电流IR 最高工作频率fM 第33页，共52页，编辑于2022年，星期五 ⑴ 理想二极管等效电路 uD iD 0 D K 理想二极管等效电路 可以忽略二极管的正向压降和反向电流，把二极管理想化为一个开关，如图所示。 4. 二极管的等效电路及应用 第34页，共52页，编辑于2022年，星期五 ⑵ 考虑正向压降的等效电路 近似认为二极管正向导通时有一个固定的管压降UD（硅管取0.7V，锗管取0.2V），于是可用一固定电压源来等效正向导通的二极管。 当外加电压UUD时，二极管不通，电流为零，相当于开路。 第35页，共52页，编辑于2022年，星期五 uD iD 0 D UD 考虑正向压降的等效电路 K UD 图中画出了这种近似等效电路。 第36页，共52页，编辑于2022年，星期五 图(a)是一个二极管组成的限幅电路(Clipping Circuit)。这种电路常用于有选择地传输信号波形的一部分，所传输的波形部分处在电路设定的参考电压以上或以下。 D UR R uo u + + – – （a） u 第37页，共52页，编辑于2022年，星期五 第1页，共52页，编辑于2022年，星期五 第一节 晶体二极管 一、半导体的导电性 二、PN结及其单向导电性 三、晶体二极管及其特性* 四、特殊二极管* 第2页，共52页，编辑于2022年，星期五 一、半导体的导电性 1. 半导体(semiconductor) ⑴ 半导体的物理特性 物质根据其导电性能分为 导 体 绝缘体 半导体 第3页，共52页，编辑于2022年，星期五 半导体的导电能力具有独特的性质。 ①温度升高时，纯净的半导体的导电能力显著增加； ②在纯净半导体材料中加入微量的“杂质”元素，它的电导率就会成千上万倍地增长； ③纯净的半导体受到光照时，导电能力明显提高。 第4页，共52页，编辑于2022年，星期五 简化原子结构模型如图的简化形式。 +4 惯性核 价电子 硅和锗的简化原子模型 ⑵半导体的晶体结构 第5页，共52页，编辑于2022年，星期五 单晶半导体结构特点 共价键:由相邻两个原子各拿出一个价电子组成价电子对所构成的联系。 晶体共价键结构平面示意图 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 共价键 第6页，共52页，编辑于2022年，星期五 2.半导体的导电原理 ⑴本征半导体（Intrinsic Semiconductor） 纯净的、结构完整的单晶半导体，称为本征半导体。 物质导电能力的大小取决于其中能参与导电的粒子—载流子的多少。 第7页，共52页，编辑于2022年，星期五 在本征半导体中，激发出一