模拟电子技术场效应管及其基本电路概要.pptxVIP

1 场效应晶体管（场效应管）利用多数载流子的漂移运动形成电流。 场效应管FET (Field Effect Transistor) 结型场效应管JFET 绝缘栅场效应管IGFET 双极型晶体管主要是利用基区非平衡少数载流子的扩散运动形成电流。 第1页/共102页 2 JFET 利用PN结反向电压对耗尽层厚度的 控制来改变导电沟道的宽度，从而 控制漏极电流的大小。 IGFET 绝缘栅极场效应管利用栅源电压的 大小来改变半导体表面感生电荷的 多少，从而控制漏极电流的大小。 第2页/共102页 3 3―1 结型场效应管 3―1―1 结型场效应管的结构及工作原理 (a)N沟道JFET 图3―1结型场效应管的结构示意图及其表示符号 Gate栅极 Source源极 Drain 漏极 箭头方向表示栅源间PN结若加正向偏置电压时栅极电流的实际流动方向 第3页/共102页 4 (b)P沟道JFET 图3―1结型场效应管的结构示意图及其表示符号 第4页/共102页 5 工作原理 1. UGS对场效应管ID的影响(转移特性曲线) N D G S P P 条件：UDS加正电压，N沟道的多子（自由电子）形成漂移电流——漏极电流ID。 UGS反偏电压↑ID如何变化？ 第5页/共102页 6 (a) UGS =0，沟道最宽 当UGS =0时，沟道宽，所以ID较大。 第6页/共102页 7 (b) UGS负压增大，沟道变窄 当UGS↑→PN结变厚→导电沟道变窄→沟道电导率↓→电阻↑ →ID↓ 第7页/共102页 8 (c) UGS负压进一步增大，沟道夹断 图3―2栅源电压UGS对沟道的控制作用示意图 D S P P U GS 直到UGS=UGS（off）时，沟道完全消失，ID=0。 UGSoff——夹断电压 第8页/共102页 9 3―1―2 结型场效应管的特性曲线 一、转移特性曲线 式中：IDSS——饱和电流，表示uGS=0时的iD值； UGSoff——夹断电压，表示uGS=UGSoff时iD为零。 第9页/共102页 10 (a)转移特性曲线 为保证场效应管正常工作，PN结必须加反向偏置电压 问题：若UDS增大，转移特性曲线如何变化？ 分析：UDS增大，多子形成的漂移电流增大，ID增加，转移特性曲线上移。 第10页/共102页 11 2、UDS对场效应管ID的影响（输出特性曲线） 输出特性曲线分为四个区域 第11页/共102页 12 D G S U DS U GS 沟道局部夹断 I D D G S (a) uDS-uGS<|UGSoff|（预夹断前） U DS I D ＞ 0 U GS P P P P 图3―4 uDS对导电沟道的影响 (b) uDS-uGS>|UGSoff|（预夹断后） 几乎不变 第12页/共102页 13 图3―3JFET的转移特性曲线和输出特性曲线 (b)输出特性曲线 1 2 3 4 i D / mA 0 10 20 u D S / V 可 变 电 阻 区 恒 截止区 － 2 V － 1 .5V － 1 V u DS ＝ u G S － U GSoff 5 15 流 区 击 穿 区 U GS ＝ 0V U GSoff －0 . 5V 第13页/共102页 14 当uDS=0时，iD=0。 当 uDS很小时，uDS↑→iD↑(近似线性增大) 当 uDS较大时，靠近D极的uDG的反偏电压↑ →靠近D极的耗尽层变宽→导电沟道逐渐变窄，沟道电阻↑ “预夹断”。 出现预夹断的条件为： 或 1. 可变电阻区（相当于晶体管的饱和区） 第14页/共102页 15 uGS对iD上升的斜率影响较大，在这一区域内，JFET可看作一个受uGS控制的可变电阻，即漏、源电阻rDS= f(uGS)，故称为可变电阻区。 第15页/共102页 16 2.恒流区（相当于晶体管的放大区） 当漏、栅间电压|uDG|> | UGSoff |时，即预夹断后所对应的区域。 当UGS一定时： uDS↑→漂移电流↑→iD↑，但同时uDS↑→D结变宽↑→iD↓，因此iD变化很小，只是略有增加。 因此：uDS对iD的控制能力很弱。（类似基区宽度调制效应） 第16页/共102页 17 当UGSoff <UGS<0时，iD与uGS关系符合 uGS对iD控制能力很强 第17页/共102页 18 4.击穿区 随着uDS增大，靠近漏区的PN结反偏电压 uDG(=uDS-uGS)也随之增大。 当|UGS|>|UGSoff|时，沟道被全部夹断，iD=0，故此区为截止区。 3. 截止区 第18页/共102页 19 3―2 绝缘栅场效应管(IGFET) 绝缘栅场效应管是利用半导体表面的