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混联磁路记忆电机的永磁特性参数设计研究
摘 要
本文在分析变磁通记忆电机(VFMM)国内外研究现状的基础上，发现传统混联永磁记忆电机主要有两类：1)串 联磁路型，其稳磁能力强，但调磁范围较小；2)并联磁路型，其具有调磁范围宽、调磁电流小的优点， 但受低矫顽 力(Low Coercive Force，LCF)永磁体的影响，存在负载退磁的风险。本文提出了一种新型的混联磁路变磁通记忆 电机(HMC-VFMM)，其设计结构可以同时实现并联型的宽磁通调节范围和串联型的优良有载退磁能力；同时采用钕 铁硼(NdFeB)和铝镍钴(AlNiCo) 两套高矫顽力(HCF)和低矫顽力(LCF)永磁体(PMs)
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