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发光二级管制造中的主要工艺技术 LED需要优质无缺陷的单晶材料。为形成发光中心需要对单晶材料做可控的掺杂。(大单晶切片缺陷量大） 外延：指在单晶衬底上生长一层新单晶的技术。新单晶的取向取决于衬底，并由衬底向外延伸而成。故称外延层。 外延工艺有气相外延（VPE)、液相外延（LPE)、分子束外延（MBE）和金属有机物气相沉积四种。 外延技术 （1）液相外延（liquid phase epitaxy，LPE）法从原理上说是溶液冷却法，即利用溶解度相对于温度的变化，通过饱和溶液的冷却，使过饱和的溶质部分在基板表面析出的方法。 在LPE法中，利用源的烘烤，可以获得高纯度的优良单晶，而且生长速率大，现已用于GaP，GaAs，InP系的LED的批量化生产。红、绿色LED用的GaP，红色LED用的GaAIAs，红外LED用的GaAs，长波长LED用的InGaAsP都是通过LPE法制作的。 发光二极管 (LED) 从原理上说是溶液冷却法，即利用溶解度相对于温度的变化，通过饱和溶液的冷却，使过饱和的溶质部分在基板表面析出的方法。 发光二极管 (LED) 缺点：欲生长晶体的晶格常数与衬底的晶格常数偏离不能大于1%；沿生长方向组分不均匀；层厚小于0.06微米时，生长难以控制。 （2）气相外延（vapor Phase epitaxy，VPE）法，如图 所示，是使III族金属源气体与V族卤化物或氢化物通过开管式反应而进行的气相生长法，适合批量生产，目前红、橙、黄色LED用的GaAsP就是用这种方法制作的。 （3）分子束外延（molecular beam epitaxy，MBE）法，如图 7－12所示，是使 PBN小孔坩埚中的固体加热气化，得到的分子束射向加热到一定温度的基板单晶上进行单晶生长的方法。其特点是组成、膜厚的可控制性及均匀性都很好。 缺点：价格昂贵，设备复杂，主要用作科研用途，不适合大规模生产。 （4） 有机金属化学气相沉积（metal－organic chemical vapor deposition，MOCVD）法，对于Ill-V族化合物来说，是以Ill族金属的烷基金属化合物为原料，V族元素以氢化物为原料的气相生长法；以H2为载带气体，在常压或减压的气氛中，在加热到一定温度的基板单晶上，在保持V族元素过剩的条件下，使气相原料之间发生反应的单晶生长法。其装置示意见图 7-13。其特点与MBE相似，组成、膜厚的可控制性及均匀性都很好，是适于批量生产的单晶生长法。 发光二极管 (LED) 基片可转动 生产MOCVD的厂家以德国AIXTRON和美国的EMCORE公司最为著名。3000万元 /台 MOCVD的产业现状 MOCVD作为LED制造最核心环节的外延片生长关键设备，也是制造环节中单项投资最大的部分。目前可以提供工业化生产的MOCVD设备制造商有限，集中程度较高，主要在欧美和日本。中国MOCVD设备国产化之路一直走的并不太顺利，但是近来有几家国内设备科研和生产单位给出了设备国产化的时间表，令人期待。 　　在全球LED产业的发展带动下，近年来MOCVD设备一直处于供应紧张的状态，设备到货期不断被延长。中国MOCVD设备的供应商主要集中在美国Veeco和德国AIXTRON两家。 　　2010年全球MOCVD新增安装量中，韩国增量最多，其次是台湾地区。根据SEMI统计，中国大陆今年MOCVD新增量在160-180台之间，居全球第三。另外，根据SEMI统计和分析，结合MOCVD供应情况，2011年中国MOCVD新增量份额有望达到全球的40%，而其它地区的增量会保持与2010年相当的水平或出现下降。 掺杂技术 向化合物半导体单晶中掺杂杂质有各种不同的方法。在LPE法中，通过向熔液中添加各种杂质，即可获得具有所要求的电导率、特定载流于浓度的单晶体。 在VPE、MBE、MOCVD方法中，或者使固态的杂质蒸发，或者添加含有杂质的气态化合物，以获得所要求的电导率及载流子浓度等。掺人杂质的量可以独立控制，重复性、可控制性都较好。 扩散掺杂仍然是最重要的掺杂方法之一。扩散掺杂法分闭管式（真空闭管式）和开管式两种，后者操作简单，适合于大直径晶片及批量化生产。 发光二极管 (LED) 发光二极管 (LED) 福田结晶技术研究所试制的8英寸蓝宝石单晶制造装置 成品率相同的话，基板的口径越大，每块基板能获得的LED芯片数量就越多，从而越有助于提高生产效率，降低成本。 白色LED使用的蓝色LED芯片大多在口径为2~4英寸的蓝宝石基板上制造而成。所以业界公认口径为6英寸的蓝宝石基板会越来越多地被使用，但在此之前，能否制造出来8英寸的